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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：4947}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4931NT1G-IRH1
工作温度：-55℃~150℃
功率：950mW€104W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：128nC@10V
包装方式：散装
输入电容：9821pF@15V
连续漏极电流：23A€246A
类型：N沟道
导通电阻：1.1mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：4947}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4931NT1G-IRH1
工作温度：-55℃~150℃
功率：950mW€104W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：128nC@10V
包装方式：散装
输入电容：9821pF@15V
连续漏极电流：23A€246A
类型：N沟道
导通电阻：1.1mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：4947}
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规格型号(MPN)：NTMFS4931NT1G-IRH1
工作温度：-55℃~150℃
功率：950mW€104W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：128nC@10V
包装方式：散装
输入电容：9821pF@15V
连续漏极电流：23A€246A
类型：N沟道
导通电阻：1.1mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：NTMFS4931NT1G-IRH1
连续漏极电流：23A€246A
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
栅极电荷：128nC@10V
功率：950mW€104W
阈值电压：2.2V@250µA
输入电容：9821pF@15V
包装方式：散装
导通电阻：1.1mΩ@30A，10V
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功率：950mW€104W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：128nC@10V
包装方式：散装
输入电容：9821pF@15V
连续漏极电流：23A€246A
类型：N沟道
导通电阻：1.1mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：NTMFS4931NT1G-IRH1
工作温度：-55℃~150℃
功率：950mW€104W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：128nC@10V
包装方式：散装
输入电容：9821pF@15V
连续漏极电流：23A€246A
类型：N沟道
导通电阻：1.1mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
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规格型号(MPN)：NTMFS4931NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：950mW
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：128nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9821pF@15V
连续漏极电流：23A€246A
类型：N沟道
导通电阻：1.1mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
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包装方式：卷带（TR）
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连续漏极电流：23A€246A
类型：N沟道
导通电阻：1.1mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
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工作温度：-55℃~150℃
功率：950mW
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连续漏极电流：23A€246A
类型：N沟道
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漏源电压：30V
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栅极电荷：128nC@10V
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连续漏极电流：23A€246A
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导通电阻：1.1mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
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连续漏极电流：23A€246A
类型：N沟道
导通电阻：1.1mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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