品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS8878
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
连续漏极电流:10.2A
类型:1个N沟道
输入电容:897pF@15V
导通电阻:14mΩ@10.2A,10V
栅极电荷:26nC@10V
阈值电压:2.5V@250μA
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86101
阈值电压:4V@250μA
导通电阻:8mΩ@10V,13A
类型:1个N沟道
功率:2.5W
连续漏极电流:12.4A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS8447
包装方式:卷带(TR)
类型:1个N沟道
漏源电压:40V
栅极电荷:49nC@10V
阈值电压:3V@250μA
导通电阻:10.5mΩ@10V,12.8A
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W
输入电容:2.6nF@20V
连续漏极电流:12.8A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS8884
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
类型:1个N沟道
导通电阻:23mΩ@10V,8.5A
连续漏极电流:8.5A
阈值电压:2.5V@250μA
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W
输入电容:635pF@15V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS8878
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
连续漏极电流:10.2A
类型:1个N沟道
输入电容:897pF@15V
导通电阻:14mΩ@10.2A,10V
栅极电荷:26nC@10V
阈值电压:2.5V@250μA
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS8884
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
类型:1个N沟道
导通电阻:23mΩ@10V,8.5A
连续漏极电流:8.5A
阈值电压:2.5V@250μA
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W
输入电容:635pF@15V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS6612A
栅极电荷:7.6nC@5V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
类型:1个N沟道
阈值电压:3V@250μA
输入电容:560pF@15V
连续漏极电流:8.4A
工作温度:-55℃~+150℃
导通电阻:22mΩ@8.4A,10V
功率:2.5W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD2N60CTM
阈值电压:4V@250μA
连续漏极电流:1.9A
包装方式:卷带(TR)
类型:1个N沟道
导通电阻:4.7Ω@10V,950mA
功率:2.5W
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS8447
包装方式:卷带(TR)
类型:1个N沟道
漏源电压:40V
栅极电荷:49nC@10V
阈值电压:3V@250μA
导通电阻:10.5mΩ@10V,12.8A
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W
输入电容:2.6nF@20V
连续漏极电流:12.8A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS8449
包装方式:卷带(TR)
类型:1个N沟道
漏源电压:40V
输入电容:760pF@20V
阈值电压:3V@250μA
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W
栅极电荷:11nC@5V
连续漏极电流:7.6A
导通电阻:29mΩ@10V,7.6A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS6612A
栅极电荷:7.6nC@5V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
类型:1个N沟道
阈值电压:3V@250μA
输入电容:560pF@15V
连续漏极电流:8.4A
工作温度:-55℃~+150℃
导通电阻:22mΩ@8.4A,10V
功率:2.5W
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS3590
输入电容:1.18nF@40V
包装方式:卷带(TR)
类型:1个N沟道
漏源电压:80V
导通电阻:39mΩ@6.5A,10V
阈值电压:4V@250μA
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W
栅极电荷:35nC@10V
ECCN:EAR99
连续漏极电流:6.5A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS6690A
栅极电荷:16nC@5V
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~+150℃
类型:1个N沟道
功率:2.5W
连续漏极电流:11A
输入电容:1.205nF@15V
导通电阻:12.5mΩ@10V,11A
阈值电压:3V@250μA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS3692
包装方式:卷带(TR)
类型:1个N沟道
导通电阻:60mΩ@4.5A,10V
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:15nC@10V
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W
输入电容:746pF@25V
连续漏极电流:4.5A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD2N60CTM
阈值电压:4V@250μA
连续漏极电流:1.9A
包装方式:卷带(TR)
类型:1个N沟道
导通电阻:4.7Ω@10V,950mA
功率:2.5W
漏源电压:600V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS8447
包装方式:卷带(TR)
类型:1个N沟道
漏源电压:40V
栅极电荷:49nC@10V
阈值电压:3V@250μA
导通电阻:10.5mΩ@10V,12.8A
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W
输入电容:2.6nF@20V
ECCN:EAR99
连续漏极电流:12.8A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS8878
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
连续漏极电流:10.2A
类型:1个N沟道
输入电容:897pF@15V
导通电阻:14mΩ@10.2A,10V
栅极电荷:26nC@10V
阈值电压:2.5V@250μA
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS2670
包装方式:卷带(TR)
类型:1个N沟道
连续漏极电流:3A
工作温度:-55℃~+150℃
导通电阻:130mΩ@3A,10V
功率:2.5W
栅极电荷:43nC@10V
阈值电压:4.5V@250μA
输入电容:1.228nF@100V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS3590
输入电容:1.18nF@40V
包装方式:卷带(TR)
类型:1个N沟道
漏源电压:80V
导通电阻:39mΩ@6.5A,10V
阈值电压:4V@250μA
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W
栅极电荷:35nC@10V
ECCN:EAR99
连续漏极电流:6.5A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS2670
包装方式:卷带(TR)
类型:1个N沟道
连续漏极电流:3A
工作温度:-55℃~+150℃
导通电阻:130mΩ@3A,10V
功率:2.5W
栅极电荷:43nC@10V
阈值电压:4.5V@250μA
输入电容:1.228nF@100V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS3590
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.18nF@40V
连续漏极电流:6.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:39mΩ@6.5A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD2N60CTM
功率:2.5W
阈值电压:4V@250μA
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:1.9A
类型:1个N沟道
导通电阻:4.7Ω@10V,950mA
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86101
功率:2.5W
阈值电压:4V@250μA
连续漏极电流:12.4A
类型:1个N沟道
导通电阻:8mΩ@10V,13A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS8447
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:49nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.6nF@20V
连续漏极电流:12.8A
类型:1个N沟道
导通电阻:10.5mΩ@10V,12.8A
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS8447
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:49nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.6nF@20V
连续漏极电流:12.8A
类型:1个N沟道
导通电阻:10.5mΩ@10V,12.8A
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS8449
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:11nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:760pF@20V
连续漏极电流:7.6A
类型:1个N沟道
导通电阻:29mΩ@10V,7.6A
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS8880
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.235nF@15V
连续漏极电流:11.6A
类型:1个N沟道
导通电阻:10mΩ@10V,11.6A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":17974}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86101
功率:2.5W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
连续漏极电流:12.4A
类型:1个N沟道
导通电阻:8mΩ@10V,13A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS8447
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:49nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.6nF@20V
连续漏极电流:12.8A
类型:1个N沟道
导通电阻:10.5mΩ@10V,12.8A
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS8447
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:49nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.6nF@20V
连续漏极电流:12.8A
类型:1个N沟道
导通电阻:10.5mΩ@10V,12.8A
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存: