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    品牌: ON SEMI
    类型: 1个N沟道
    行业应用: 工业
    工作温度: -55℃~+175℃
    当前匹配商品:500+
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    onsemi Mosfet场效应管 FDD120AN15A0 起订3个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD120AN15A0 起订3个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD120AN15A0

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:65W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:14.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:770pF@25V

    连续漏极电流:2.8A€14A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:120mΩ@10V,4A

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5H610NLWFT1G 起订4个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5H610NLWFT1G 起订4个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFS5H610NLWFT1G

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:3.6W€52W

    阈值电压:2V@40μA

    栅极电荷:13.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:880pF@30V

    连续漏极电流:13A€48A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:10mΩ@8A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 RFD3055LESM9A 起订4个装
    onsemi Mosfet场效应管 RFD3055LESM9A 起订4个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RFD3055LESM9A

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:38W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:11.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:350pF@25V

    连续漏极电流:11A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:107mΩ@8A,5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDP038AN06A0 起订16个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDP038AN06A0 起订16个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDP038AN06A0

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:310W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:124nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:6.4nF@25V

    连续漏极电流:17A€80A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:367pF@25V

    导通电阻:3.5mΩ@10V,80A

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD8880 起订4个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD8880 起订4个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD8880

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:55W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:31nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.26nF@15V

    连续漏极电流:13A€58A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:9mΩ@10V,35A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTBS9D0N10MC 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTBS9D0N10MC 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTBS9D0N10MC

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:3.8W€68W

    阈值电压:3V@131μA

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.695nF@50V

    连续漏极电流:14A€60A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:13pF@50V

    导通电阻:7.8mΩ@10V,23A

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD8880 起订2500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD8880 起订2500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD8880

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:55W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:31nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.26nF@15V

    连续漏极电流:13A€58A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:9mΩ@10V,35A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDP036N10A 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDP036N10A 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDP036N10A

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:333W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:116nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:7.295nF@25V

    连续漏极电流:120A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:3.6mΩ@75A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMYS1D6N04CLTWG 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMYS1D6N04CLTWG 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMYS1D6N04CLTWG

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:107.1W€3.8W

    阈值电压:3V@210μA

    栅极电荷:71nC@10V

    输入电容:4.301nF@25V

    连续漏极电流:185A€35A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:1.6mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFSC0D9N04C 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFSC0D9N04C 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFSC0D9N04C

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:4.1W€166W

    阈值电压:3.5V@250μA

    栅极电荷:86nC@10V

    输入电容:6.1nF@25V

    连续漏极电流:48.9A€313A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:0.87mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDB5800 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDB5800 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB5800

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:242W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:135nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6.625nF@15V

    连续漏极电流:14A€80A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:6mΩ@80A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDP020N06B-F102 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDP020N06B-F102 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDP020N06B-F102

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:333W

    阈值电压:4.5V@250μA

    栅极电荷:268nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:20.93nF@30V

    连续漏极电流:313A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:127pF@30V

    导通电阻:1.65mΩ@10V,100A

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD8870 起订2500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD8870 起订2500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD8870

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:160W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:118nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5.16nF@15V

    连续漏极电流:21A€160A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:3.9mΩ@10V,35A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDB5800 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDB5800 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB5800

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:242W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:135nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6.625nF@15V

    连续漏极电流:14A€80A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:6mΩ@80A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFSC0D9N04C 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFSC0D9N04C 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFSC0D9N04C

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:4.1W€166W

    阈值电压:3.5V@250μA

    栅极电荷:86nC@10V

    输入电容:6.1nF@25V

    连续漏极电流:48.9A€313A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:0.87mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 RFD14N05LSM9A 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 RFD14N05LSM9A 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RFD14N05LSM9A

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:48W

    阈值电压:2V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:670pF@25V

    连续漏极电流:14A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:100mΩ@5V,14A

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDB5800 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDB5800 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB5800

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:242W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:135nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6.625nF@15V

    连续漏极电流:14A€80A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:6mΩ@80A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDP045N10A-F102 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDP045N10A-F102 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDP045N10A-F102

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:263W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:74nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:5.27nF@50V

    连续漏极电流:120A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:4.5mΩ@10V,100A

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD120AN15A0 起订12500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD120AN15A0 起订12500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD120AN15A0

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:65W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:14.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:770pF@25V

    连续漏极电流:2.8A€14A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:120mΩ@10V,4A

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 RFD14N05LSM9A 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 RFD14N05LSM9A 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RFD14N05LSM9A

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:48W

    阈值电压:2V@250μA

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:670pF@25V

    连续漏极电流:14A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:100mΩ@5V,14A

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFSC0D9N04C 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFSC0D9N04C 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFSC0D9N04C

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:4.1W€166W

    阈值电压:3.5V@250μA

    栅极电荷:86nC@10V

    输入电容:6.1nF@25V

    连续漏极电流:48.9A€313A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:0.87mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFSC0D9N04C 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFSC0D9N04C 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFSC0D9N04C

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:4.1W€166W

    阈值电压:3.5V@250μA

    栅极电荷:86nC@10V

    输入电容:6.1nF@25V

    连续漏极电流:48.9A€313A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:0.87mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 RFD14N05LSM9A 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 RFD14N05LSM9A 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RFD14N05LSM9A

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:48W

    阈值电压:2V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:670pF@25V

    连续漏极电流:14A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:100mΩ@5V,14A

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTBS9D0N10MC 起订800个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTBS9D0N10MC 起订800个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTBS9D0N10MC

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:3.8W€68W

    阈值电压:3V@131μA

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.695nF@50V

    连续漏极电流:14A€60A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:13pF@50V

    导通电阻:7.8mΩ@10V,23A

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS4470 起订50个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS4470 起订50个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS4470

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:2.5W

    阈值电压:5V@250μA

    栅极电荷:63nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2.659nF@20V

    连续漏极电流:12.5A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:9mΩ@10V,12.5A

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 RFD14N05LSM9A 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 RFD14N05LSM9A 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RFD14N05LSM9A

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:48W

    阈值电压:2V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:670pF@25V

    连续漏极电流:14A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:100mΩ@5V,14A

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 RFD3055LESM9A 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 RFD3055LESM9A 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RFD3055LESM9A

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:38W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:11.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:350pF@25V

    连续漏极电流:11A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:107mΩ@8A,5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD120AN15A0 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD120AN15A0 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD120AN15A0

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:65W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:14.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:770pF@25V

    连续漏极电流:2.8A€14A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:120mΩ@10V,4A

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDB5800 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDB5800 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB5800

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:242W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:135nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6.625nF@15V

    连续漏极电流:14A€80A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:6mΩ@80A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 RFD3055LESM9A 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 RFD3055LESM9A 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RFD3055LESM9A

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:38W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:11.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:350pF@25V

    连续漏极电流:11A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:107mΩ@8A,5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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