品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP038AN06A0
工作温度:-55℃~+175℃
功率:310W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:124nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6.4nF@25V
连续漏极电流:17A€80A
类型:1个N沟道
反向传输电容:367pF@25V
导通电阻:3.5mΩ@10V,80A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP036N10A
工作温度:-55℃~+175℃
功率:333W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:116nC@10V
包装方式:管件
输入电容:7.295nF@25V
连续漏极电流:120A
类型:1个N沟道
导通电阻:3.6mΩ@75A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"24+":16000,"MI+":1000}
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQP10N20C
工作温度:-55℃~+150℃
功率:72W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:管件
输入电容:510pF@25V
连续漏极电流:9.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:360mΩ@10V,4.75A
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NDP6060
工作温度:-65℃~+175℃
功率:100W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1.8nF@25V
连续漏极电流:48A
类型:1个N沟道
导通电阻:25mΩ@24A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQPF10N20C
工作温度:-55℃~+150℃
功率:38W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:管件
输入电容:510pF@25V
连续漏极电流:9.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:360mΩ@4.75A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP045N10A-F102
工作温度:-55℃~+175℃
功率:263W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:74nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5.27nF@50V
连续漏极电流:120A
类型:1个N沟道
导通电阻:4.5mΩ@10V,100A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP050AN06A0
工作温度:-55℃~+175℃
功率:245W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:80nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3.9nF@25V
连续漏极电流:18A€80A
类型:1个N沟道
导通电阻:5mΩ@80A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NDP6060
工作温度:-65℃~+175℃
功率:100W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1.8nF@25V
连续漏极电流:48A
类型:1个N沟道
导通电阻:25mΩ@24A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP038AN06A0
工作温度:-55℃~+175℃
功率:310W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:124nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6.4nF@25V
连续漏极电流:17A€80A
类型:1个N沟道
反向传输电容:367pF@25V
导通电阻:3.5mΩ@10V,80A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):70psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQU5N60CTU
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W€49W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:管件
输入电容:670pF@25V
连续漏极电流:2.8A
类型:1个N沟道
导通电阻:2.5Ω@10V,1.4A
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDH3632
工作温度:-55℃~+175℃
功率:310W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6nF@25V
连续漏极电流:12A€80A
类型:1个N沟道
导通电阻:9mΩ@80A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NDP6060
工作温度:-65℃~+175℃
功率:100W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1.8nF@25V
连续漏极电流:48A
类型:1个N沟道
导通电阻:25mΩ@24A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDH3632
工作温度:-55℃~+175℃
功率:310W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6nF@25V
连续漏极电流:12A€80A
类型:1个N沟道
导通电阻:9mΩ@80A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):HUF75652G3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:515W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:475nC@20V
包装方式:管件
输入电容:7.585nF@25V
连续漏极电流:75A
类型:1个N沟道
导通电阻:8mΩ@75A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NDP6060
工作温度:-65℃~+175℃
功率:100W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1.8nF@25V
连续漏极电流:48A
类型:1个N沟道
导通电阻:25mΩ@24A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):HUF75652G3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:515W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:475nC@20V
包装方式:管件
输入电容:7.585nF@25V
连续漏极电流:75A
类型:1个N沟道
导通电阻:8mΩ@75A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP045N10A-F102
工作温度:-55℃~+175℃
功率:263W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:74nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5.27nF@50V
连续漏极电流:120A
类型:1个N沟道
导通电阻:4.5mΩ@10V,100A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NDP6060
工作温度:-65℃~+175℃
功率:100W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1.8nF@25V
连续漏极电流:48A
类型:1个N沟道
导通电阻:25mΩ@24A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP045N10A-F102
工作温度:-55℃~+175℃
功率:263W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:74nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5.27nF@50V
连续漏极电流:120A
类型:1个N沟道
导通电阻:4.5mΩ@10V,100A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP038AN06A0
工作温度:-55℃~+175℃
功率:310W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:124nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6.4nF@25V
连续漏极电流:17A€80A
类型:1个N沟道
反向传输电容:367pF@25V
导通电阻:3.5mΩ@10V,80A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":4040}
包装规格(MPQ):70psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQU5N60CTU
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W€49W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:管件
输入电容:670pF@25V
连续漏极电流:2.8A
类型:1个N沟道
导通电阻:2.5Ω@10V,1.4A
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDPF190N15A
工作温度:-55℃~+150℃
功率:33W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2.685nF@25V
连续漏极电流:27.4A
类型:1个N沟道
导通电阻:19mΩ@27.4A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP036N10A
工作温度:-55℃~+175℃
功率:333W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:116nC@10V
包装方式:管件
输入电容:7.295nF@25V
连续漏极电流:120A
类型:1个N沟道
导通电阻:3.6mΩ@75A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":109000,"MI+":7000}
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FCPF22N60NT
功率:39W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
包装方式:管件
连续漏极电流:22A
类型:1个N沟道
导通电阻:165mΩ@10V,11A
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):HUF75652G3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:515W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:475nC@20V
包装方式:管件
输入电容:7.585nF@25V
连续漏极电流:75A
类型:1个N沟道
导通电阻:8mΩ@75A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDH3632
工作温度:-55℃~+175℃
功率:310W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6nF@25V
连续漏极电流:12A€80A
类型:1个N沟道
导通电阻:9mΩ@80A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":4800,"MI+":197}
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQP8N60C
工作温度:-55℃~+150℃
功率:147W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:36nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1.255nF@25V
连续漏极电流:7.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.2Ω@10V,3.75A
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP083N15A-F102
工作温度:-55℃~+175℃
功率:294W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:84nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6.04nF@25V
连续漏极电流:83A
类型:1个N沟道
导通电阻:8.3mΩ@10V,75A
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):HUF75652G3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:515W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:475nC@20V
包装方式:管件
输入电容:7.585nF@25V
连续漏极电流:75A
类型:1个N沟道
导通电阻:8mΩ@75A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP083N15A-F102
工作温度:-55℃~+175℃
功率:294W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:84nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6.04nF@25V
连续漏极电流:83A
类型:1个N沟道
导通电阻:8.3mΩ@10V,75A
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存: