销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.5W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:5nC@10V
输入电容:210pF@50V
连续漏极电流:2.7A
类型:1个N沟道
导通电阻:109mΩ@10V,1.5A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMYS021N06CLTWG
工作温度:-55℃~+175℃
功率:28W€3.8W
阈值电压:2V@16μA
栅极电荷:5nC@10V
输入电容:410pF@25V
连续漏极电流:9.8A€27A
类型:1个N沟道
导通电阻:21mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":2990,"22+":434}
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMYS021N06CLTWG
工作温度:-55℃~+175℃
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阈值电压:2V@16μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5nC@10V
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销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
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品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMYS021N06CLTWG
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品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMYS021N06CLTWG
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品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
阈值电压:4V@250μA
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导通电阻:109mΩ@10V,1.5A
连续漏极电流:2.7A
工作温度:-55℃~+150℃
类型:1个N沟道
功率:1.5W
栅极电荷:5nC@10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":2990,"22+":434}
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMYS021N06CLTWG
工作温度:-55℃~+175℃
功率:28W€3.8W
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ECCN:EAR99
栅极电荷:5nC@10V
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类型:1个N沟道
导通电阻:21mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMYS021N06CLTWG
工作温度:-55℃~+175℃
功率:28W€3.8W
阈值电压:2V@16μA
栅极电荷:5nC@10V
输入电容:410pF@25V
连续漏极电流:9.8A€27A
类型:1个N沟道
导通电阻:21mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: