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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCB20N60FTM
工作温度：-55℃~+150℃
功率：208W
阈值电压：5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：75nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.37nF@25V
连续漏极电流：20A
类型：1个N沟道
反向传输电容：95pF@25V
导通电阻：150mΩ@10V，10A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMYS1D3N04CTWG
工作温度：-55℃~+175℃
功率：3.9W€134W
阈值电压：3.5V@180μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：75nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4.855nF@25V
连续漏极电流：252A€43A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.15mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：1866}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS030N06B
工作温度：-55℃~+150℃
功率：104W€2.5W
阈值电压：4.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：75nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7.56nF@30V
连续漏极电流：22.1A€100A
类型：1个N沟道
导通电阻：3mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：NVMYS1D3N04CTWG
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导通电阻：1.15mΩ@50A，10V
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分类：Mosfet场效应管
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：7.56nF@30V
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类型：1个N沟道
导通电阻：3mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
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工作温度：-55℃~+150℃
功率：417W
阈值电压：5V@250μA
栅极电荷：75nC@10V
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连续漏极电流：61A
类型：1个N沟道
导通电阻：41mΩ@10V，30.5A
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包装清单：商品主体 * 1
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导通电阻：3mΩ@50A，10V
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功率：208W
阈值电压：5V@250μA
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栅极电荷：75nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.37nF@25V
连续漏极电流：20A
类型：1个N沟道
反向传输电容：95pF@25V
导通电阻：150mΩ@10V，10A
漏源电压：600V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：NVMYS1D3N04CTWG
工作温度：-55℃~+175℃
功率：3.9W€134W
阈值电压：3.5V@180μA
ECCN：EAR99
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：4.855nF@25V
连续漏极电流：252A€43A
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导通电阻：1.15mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
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栅极电荷：75nC@10V
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输入电容：2.37nF@25V
连续漏极电流：20A
类型：1个N沟道
反向传输电容：95pF@25V
导通电阻：150mΩ@10V，10A
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输入电容：4.855nF@25V
连续漏极电流：252A€43A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.15mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
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规格型号(MPN)：FDMS030N06B
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输入电容：7.56nF@30V
连续漏极电流：22.1A€100A
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导通电阻：1.15mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
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栅极电荷：75nC@10V
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连续漏极电流：61A
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导通电阻：41mΩ@10V，30.5A
漏源电压：200V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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ECCN：EAR99
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：4.855nF@25V
连续漏极电流：252A€43A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.15mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
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行业应用：工业,汽车
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栅极电荷：75nC@10V
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类型：1个N沟道
导通电阻：3mΩ@50A，10V
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包装清单：商品主体 * 1
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS030N06B
工作温度：-55℃~+150℃
功率：104W€2.5W
阈值电压：4.5V@250μA
栅极电荷：75nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7.56nF@30V
连续漏极电流：22.1A€100A
类型：1个N沟道
导通电阻：3mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMYS1D3N04CTWG
工作温度：-55℃~+175℃
功率：3.9W€134W
阈值电压：3.5V@180μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：75nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4.855nF@25V
连续漏极电流：252A€43A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.15mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
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行业应用：工业,汽车
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功率：104W€2.5W
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连续漏极电流：22.1A€100A
类型：1个N沟道
导通电阻：3mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
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行业应用：工业,汽车
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工作温度：-55℃~+150℃
功率：208W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：75nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.37nF@25V
连续漏极电流：20A
类型：1个N沟道
反向传输电容：95pF@25V
导通电阻：150mΩ@10V，10A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS030N06B
工作温度：-55℃~+150℃
功率：104W€2.5W
阈值电压：4.5V@250μA
栅极电荷：75nC@10V
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输入电容：7.56nF@30V
连续漏极电流：22.1A€100A
类型：1个N沟道
导通电阻：3mΩ@50A，10V
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包装清单：商品主体 * 1
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销售单位：个
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功率：3.9W€134W
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：4.855nF@25V
连续漏极电流：252A€43A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.15mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：7.56nF@30V
连续漏极电流：22.1A€100A
类型：1个N沟道
导通电阻：3mΩ@50A，10V
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