采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8451
工作温度：-55℃~+150℃
功率：30W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：990pF@20V
连续漏极电流：9A€28A
类型：1个N沟道
导通电阻：24mΩ@10V，9A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8451
工作温度：-55℃~+150℃
功率：30W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：990pF@20V
连续漏极电流：9A€28A
类型：1个N沟道
导通电阻：24mΩ@10V，9A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：18W€2.3W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：20nC@10V
输入电容：945pF@15V
连续漏极电流：10.5A€16A
类型：1个N沟道
导通电阻：14.3mΩ@10.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8451
工作温度：-55℃~+150℃
功率：30W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：990pF@20V
连续漏极电流：9A€28A
类型：1个N沟道
导通电阻：24mΩ@10V，9A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQP6N60C
工作温度：-55℃~+150℃
功率：125W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：20nC@10V
输入电容：810pF@25V
连续漏极电流：5.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：2Ω@10V，2.75A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8451
工作温度：-55℃~+150℃
功率：30W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：990pF@20V
连续漏极电流：9A€28A
类型：1个N沟道
导通电阻：24mΩ@10V，9A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8451
工作温度：-55℃~+150℃
功率：30W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：990pF@20V
连续漏极电流：9A€28A
类型：1个N沟道
导通电阻：24mΩ@10V，9A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8451
工作温度：-55℃~+150℃
功率：30W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：990pF@20V
连续漏极电流：9A€28A
类型：1个N沟道
导通电阻：24mΩ@10V，9A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+175℃
功率：1.5W€48W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：20nC@10V
输入电容：450pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：1个N沟道
导通电阻：94mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：18W€2.3W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：20nC@10V
输入电容：945pF@15V
连续漏极电流：10.5A€16A
类型：1个N沟道
导通电阻：14.3mΩ@10.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8451
工作温度：-55℃~+150℃
功率：30W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：990pF@20V
连续漏极电流：9A€28A
类型：1个N沟道
导通电阻：24mΩ@10V，9A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8451
工作温度：-55℃~+150℃
功率：30W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：990pF@20V
连续漏极电流：9A€28A
类型：1个N沟道
导通电阻：24mΩ@10V，9A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8451
工作温度：-55℃~+150℃
功率：30W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：990pF@20V
连续漏极电流：9A€28A
类型：1个N沟道
导通电阻：24mΩ@10V，9A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8451
工作温度：-55℃~+150℃
功率：30W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：990pF@20V
连续漏极电流：9A€28A
类型：1个N沟道
导通电阻：24mΩ@10V，9A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8451
工作温度：-55℃~+150℃
功率：30W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：990pF@20V
连续漏极电流：9A€28A
类型：1个N沟道
导通电阻：24mΩ@10V，9A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：18W€2.3W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：20nC@10V
输入电容：945pF@15V
连续漏极电流：10.5A€16A
类型：1个N沟道
导通电阻：14.3mΩ@10.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+175℃
功率：3W€40W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：20nC@10V
输入电容：1.2nF@25V
连续漏极电流：59A€16A
类型：1个N沟道
导通电阻：5.8mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：18W€2.3W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：20nC@10V
输入电容：945pF@15V
连续漏极电流：10.5A€16A
类型：1个N沟道
导通电阻：14.3mΩ@10.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：18W€2.3W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：20nC@10V
输入电容：945pF@15V
连续漏极电流：10.5A€16A
类型：1个N沟道
导通电阻：14.3mΩ@10.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：18W€2.3W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：20nC@10V
输入电容：945pF@15V
连续漏极电流：10.5A€16A
类型：1个N沟道
导通电阻：14.3mΩ@10.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVD5C464NT4G
工作温度：-55℃~+175℃
功率：3W€40W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.2nF@25V
连续漏极电流：59A€16A
类型：1个N沟道
导通电阻：5.8mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：18W€2.3W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：20nC@10V
输入电容：945pF@15V
连续漏极电流：10.5A€16A
类型：1个N沟道
导通电阻：14.3mΩ@10.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+175℃
功率：3W€40W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：20nC@10V
输入电容：1.2nF@25V
连续漏极电流：59A€16A
类型：1个N沟道
导通电阻：5.8mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+175℃
功率：3W€40W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：20nC@10V
输入电容：1.2nF@25V
连续漏极电流：59A€16A
类型：1个N沟道
导通电阻：5.8mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：18W€2.3W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：20nC@10V
输入电容：945pF@15V
连续漏极电流：10.5A€16A
类型：1个N沟道
导通电阻：14.3mΩ@10.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：18W€2.3W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：20nC@10V
输入电容：945pF@15V
连续漏极电流：10.5A€16A
类型：1个N沟道
导通电阻：14.3mΩ@10.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDT3055L
工作温度：-65℃~+150℃
功率：3W
阈值电压：2V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：345pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
导通电阻：100mΩ@4A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVD5C464NT4G
工作温度：-55℃~+175℃
功率：3W€40W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.2nF@25V
连续漏极电流：59A€16A
类型：1个N沟道
导通电阻：5.8mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
功率：18W€2.3W
连续漏极电流：10.5A€16A
漏源电压：30V
阈值电压：2.5V@250μA
导通电阻：14.3mΩ@10.5A，10V
工作温度：-55℃~+150℃
输入电容：945pF@15V
类型：1个N沟道
栅极电荷：20nC@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
功率：18W€2.3W
连续漏极电流：10.5A€16A
漏源电压：30V
阈值电压：2.5V@250μA
导通电阻：14.3mΩ@10.5A，10V
工作温度：-55℃~+150℃
输入电容：945pF@15V
类型：1个N沟道
栅极电荷：20nC@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
