品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFSC010N08M7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.3W€78.1W
阈值电压:4.5V@120μA
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.7nF@40V
连续漏极电流:12.5A€61A
类型:1个N沟道
反向传输电容:11pF@40V
导通电阻:7.6mΩ@10V,10A
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD8647L
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.1W€43W
阈值电压:3V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:28nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.64nF@20V
连续漏极电流:14A€42A
类型:1个N沟道
导通电阻:9mΩ@10V,13A
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD8447L
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.1W€44W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.97nF@20V
连续漏极电流:15.2A€50A
类型:1个N沟道
导通电阻:8.5mΩ@10V,14A
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMYS1D6N04CLTWG
工作温度:-55℃~+175℃
功率:107.1W€3.8W
阈值电压:3V@210μA
栅极电荷:71nC@10V
输入电容:4.301nF@25V
连续漏极电流:185A€35A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.6mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFSC0D9N04C
工作温度:-55℃~+175℃
功率:4.1W€166W
阈值电压:3.5V@250μA
栅极电荷:86nC@10V
输入电容:6.1nF@25V
连续漏极电流:48.9A€313A
类型:1个N沟道
导通电阻:0.87mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS8447
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:49nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.6nF@20V
连续漏极电流:12.8A
类型:1个N沟道
导通电阻:10.5mΩ@10V,12.8A
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFSC0D9N04C
工作温度:-55℃~+175℃
功率:4.1W€166W
阈值电压:3.5V@250μA
栅极电荷:86nC@10V
输入电容:6.1nF@25V
连续漏极电流:48.9A€313A
类型:1个N沟道
导通电阻:0.87mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS8447
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:49nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.6nF@20V
连续漏极电流:12.8A
类型:1个N沟道
导通电阻:10.5mΩ@10V,12.8A
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS8449
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:11nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:760pF@20V
连续漏极电流:7.6A
类型:1个N沟道
导通电阻:29mΩ@10V,7.6A
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":3000}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFSC010N08M7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.3W€78.1W
阈值电压:4.5V@120μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.7nF@40V
连续漏极电流:12.5A€61A
类型:1个N沟道
反向传输电容:11pF@40V
导通电阻:7.6mΩ@10V,10A
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFSC0D9N04C
工作温度:-55℃~+175℃
功率:4.1W€166W
阈值电压:3.5V@250μA
栅极电荷:86nC@10V
输入电容:6.1nF@25V
连续漏极电流:48.9A€313A
类型:1个N沟道
导通电阻:0.87mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS8447
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:49nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.6nF@20V
连续漏极电流:12.8A
类型:1个N沟道
导通电阻:10.5mΩ@10V,12.8A
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS8447
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:49nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.6nF@20V
连续漏极电流:12.8A
类型:1个N沟道
导通电阻:10.5mΩ@10V,12.8A
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS8447
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:49nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.6nF@20V
连续漏极电流:12.8A
类型:1个N沟道
导通电阻:10.5mΩ@10V,12.8A
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFSC0D9N04C
工作温度:-55℃~+175℃
功率:4.1W€166W
阈值电压:3.5V@250μA
栅极电荷:86nC@10V
输入电容:6.1nF@25V
连续漏极电流:48.9A€313A
类型:1个N沟道
导通电阻:0.87mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS4470
工作温度:-55℃~+175℃
功率:2.5W
阈值电压:5V@250μA
栅极电荷:63nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.659nF@20V
连续漏极电流:12.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:9mΩ@10V,12.5A
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":3000}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFSC010N08M7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.3W€78.1W
阈值电压:4.5V@120μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.7nF@40V
连续漏极电流:12.5A€61A
类型:1个N沟道
反向传输电容:11pF@40V
导通电阻:7.6mΩ@10V,10A
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS8447
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:49nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.6nF@20V
连续漏极电流:12.8A
类型:1个N沟道
导通电阻:10.5mΩ@10V,12.8A
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS8447
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:49nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.6nF@20V
连续漏极电流:12.8A
类型:1个N沟道
导通电阻:10.5mΩ@10V,12.8A
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD8447L
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.1W€44W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.97nF@20V
连续漏极电流:15.2A€50A
类型:1个N沟道
导通电阻:8.5mΩ@10V,14A
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD8647L
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.1W€43W
阈值电压:3V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:28nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.64nF@20V
连续漏极电流:14A€42A
类型:1个N沟道
导通电阻:9mΩ@10V,13A
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS8447
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:49nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.6nF@20V
连续漏极电流:12.8A
类型:1个N沟道
导通电阻:10.5mΩ@10V,12.8A
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMYS1D3N04CTWG
工作温度:-55℃~+175℃
功率:3.9W€134W
阈值电压:3.5V@180μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4.855nF@25V
连续漏极电流:252A€43A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.15mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD8647L
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.1W€43W
阈值电压:3V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:28nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.64nF@20V
连续漏极电流:14A€42A
类型:1个N沟道
导通电阻:9mΩ@10V,13A
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD8647L
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.1W€43W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:28nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.64nF@20V
连续漏极电流:14A€42A
类型:1个N沟道
导通电阻:9mΩ@10V,13A
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS8447
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:49nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.6nF@20V
连续漏极电流:12.8A
类型:1个N沟道
导通电阻:10.5mΩ@10V,12.8A
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":18050}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD8447L
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.1W€44W
阈值电压:3V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.97nF@20V
连续漏极电流:15.2A€50A
类型:1个N沟道
导通电阻:8.5mΩ@10V,14A
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFSC0D9N04C
工作温度:-55℃~+175℃
功率:4.1W€166W
阈值电压:3.5V@250μA
栅极电荷:86nC@10V
输入电容:6.1nF@25V
连续漏极电流:48.9A€313A
类型:1个N沟道
导通电阻:0.87mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFSC010N08M7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.3W€78.1W
阈值电压:4.5V@120μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.7nF@40V
连续漏极电流:12.5A€61A
类型:1个N沟道
反向传输电容:11pF@40V
导通电阻:7.6mΩ@10V,10A
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":18050}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD8447L
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.1W€44W
阈值电压:3V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.97nF@20V
连续漏极电流:15.2A€50A
类型:1个N沟道
导通电阻:8.5mΩ@10V,14A
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存: