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销售单位：个
工作温度：-55℃~+175℃
功率：2.5W
阈值电压：5V@250μA
栅极电荷：41nC@10V
输入电容：1.686nF@20V
连续漏极电流：10.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：12mΩ@10V，10.8A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
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工作温度：-55℃~+175℃
功率：2.5W
阈值电压：5V@250μA
栅极电荷：41nC@10V
输入电容：1.686nF@20V
连续漏极电流：10.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：12mΩ@10V，10.8A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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工作温度：-55℃~+175℃
功率：2.5W
阈值电压：5V@250μA
栅极电荷：41nC@10V
输入电容：1.686nF@20V
连续漏极电流：10.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：12mΩ@10V，10.8A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
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阈值电压：5V@250μA
类型：1个N沟道
漏源电压：40V
工作温度：-55℃~+175℃
功率：2.5W
导通电阻：12mΩ@10V，10.8A
栅极电荷：41nC@10V
输入电容：1.686nF@20V
连续漏极电流：10.8A
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