采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：HUF75652G3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：515W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：475nC@20V
包装方式：管件
输入电容：7.585nF@25V
连续漏极电流：75A
类型：1个N沟道
导通电阻：8mΩ@75A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：HUF75652G3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：515W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：475nC@20V
包装方式：管件
输入电容：7.585nF@25V
连续漏极电流：75A
类型：1个N沟道
导通电阻：8mΩ@75A，10V
漏源电压：100V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
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规格型号(MPN)：HUF75652G3
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功率：515W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：475nC@20V
包装方式：管件
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连续漏极电流：75A
类型：1个N沟道
导通电阻：8mΩ@75A，10V
漏源电压：100V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：HUF75652G3
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功率：515W
阈值电压：4V@250μA
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漏源电压：100V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：HUF75652G3
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功率：515W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：475nC@20V
包装方式：管件
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连续漏极电流：75A
类型：1个N沟道
导通电阻：8mΩ@75A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：HUF75652G3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：515W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：475nC@20V
包装方式：管件
输入电容：7.585nF@25V
连续漏极电流：75A
类型：1个N沟道
导通电阻：8mΩ@75A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：HUF75652G3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：515W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：475nC@20V
包装方式：管件
输入电容：7.585nF@25V
连续漏极电流：75A
类型：1个N沟道
导通电阻：8mΩ@75A，10V
漏源电压：100V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：HUF75652G3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：515W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：475nC@20V
包装方式：管件
输入电容：7.585nF@25V
连续漏极电流：75A
类型：1个N沟道
导通电阻：8mΩ@75A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：HUF75652G3
栅极电荷：475nC@20V
类型：1个N沟道
功率：515W
连续漏极电流：75A
导通电阻：8mΩ@75A，10V
输入电容：7.585nF@25V
阈值电压：4V@250μA
包装方式：管件
工作温度：-55℃~+175℃
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：HUF75652G3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：515W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：475nC@20V
包装方式：管件
输入电容：7.585nF@25V
连续漏极电流：75A
类型：1个N沟道
导通电阻：8mΩ@75A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：HUF75652G3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：515W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：475nC@20V
包装方式：管件
输入电容：7.585nF@25V
连续漏极电流：75A
类型：1个N沟道
导通电阻：8mΩ@75A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
导通电阻：14mΩ@75A，10V
阈值电压：4V@250μA
输入电容：3.79nF@25V
功率：310W
类型：1个N沟道
工作温度：-55℃~+175℃
栅极电荷：238nC@20V
连续漏极电流：75A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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