品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+175℃
功率:1.5W€48W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:20nC@10V
输入电容:450pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:1个N沟道
导通电阻:94mΩ@6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NDT3055L
工作温度:-65℃~+150℃
功率:3W
阈值电压:2V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:345pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:1个N沟道
导通电阻:100mΩ@4A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NDT3055L
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:4A
类型:1个N沟道
漏源电压:60V
输入电容:345pF@25V
工作温度:-65℃~+150℃
功率:3W
栅极电荷:20nC@10V
导通电阻:100mΩ@4A,10V
阈值电压:2V@250μA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NDT3055L
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:4A
类型:1个N沟道
漏源电压:60V
输入电容:345pF@25V
工作温度:-65℃~+150℃
功率:3W
栅极电荷:20nC@10V
导通电阻:100mΩ@4A,10V
阈值电压:2V@250μA
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存: