采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS6D1N08HT1G
工作温度：-55℃~+175℃
功率：3.8W€104W
阈值电压：4V@120μA
栅极电荷：32nC@10V
输入电容：2.085nF@40V
连续漏极电流：17A€89A
类型：1个N沟道
导通电阻：5.5mΩ@20A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+175℃
功率：237.5W
阈值电压：2.9V@479μA
栅极电荷：121nC@10V
输入电容：7.675nF@40V
连续漏极电流：241.3A
类型：1个N沟道
反向传输电容：41pF@40V
导通电阻：1.29mΩ@10V，80A
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVBLS1D7N08H
工作温度：-55℃~+175℃
功率：237.5W
阈值电压：2.9V@479μA
栅极电荷：121nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7.675nF@40V
连续漏极电流：241.3A
类型：1个N沟道
反向传输电容：41pF@40V
导通电阻：1.29mΩ@10V，80A
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS6D1N08HT1G
工作温度：-55℃~+175℃
功率：3.8W€104W
阈值电压：4V@120μA
栅极电荷：32nC@10V
输入电容：2.085nF@40V
连续漏极电流：17A€89A
类型：1个N沟道
导通电阻：5.5mΩ@20A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS6D1N08HT1G
工作温度：-55℃~+175℃
功率：3.8W€104W
阈值电压：4V@120μA
栅极电荷：32nC@10V
输入电容：2.085nF@40V
连续漏极电流：17A€89A
类型：1个N沟道
导通电阻：5.5mΩ@20A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFSC2D9N08H
工作温度：-55℃~+175℃
功率：166W€3.8W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：68nC@10V
输入电容：4.38nF@40V
连续漏极电流：23A€154A
类型：1个N沟道
导通电阻：2.9mΩ@50A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFSC2D9N08H
工作温度：-55℃~+175℃
功率：166W€3.8W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：68nC@10V
输入电容：4.38nF@40V
连续漏极电流：23A€154A
类型：1个N沟道
导通电阻：2.9mΩ@50A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFSC2D9N08H
工作温度：-55℃~+175℃
功率：166W€3.8W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：68nC@10V
输入电容：4.38nF@40V
连续漏极电流：23A€154A
类型：1个N沟道
导通电阻：2.9mΩ@50A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFSC2D9N08H
工作温度：-55℃~+175℃
功率：166W€3.8W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：68nC@10V
输入电容：4.38nF@40V
连续漏极电流：23A€154A
类型：1个N沟道
导通电阻：2.9mΩ@50A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS6D1N08HT1G
工作温度：-55℃~+175℃
功率：3.8W€104W
阈值电压：4V@120μA
栅极电荷：32nC@10V
输入电容：2.085nF@40V
连续漏极电流：17A€89A
类型：1个N沟道
导通电阻：5.5mΩ@20A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFSC2D9N08H
工作温度：-55℃~+175℃
功率：166W€3.8W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：68nC@10V
输入电容：4.38nF@40V
连续漏极电流：23A€154A
类型：1个N沟道
导通电阻：2.9mΩ@50A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFSC2D9N08H
工作温度：-55℃~+175℃
功率：166W€3.8W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：68nC@10V
输入电容：4.38nF@40V
连续漏极电流：23A€154A
类型：1个N沟道
导通电阻：2.9mΩ@50A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS6H824NT1G
工作温度：-55℃~+175℃
功率：115W
阈值电压：4V@140μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.47nF@40V
连续漏极电流：103A
类型：1个N沟道
反向传输电容：11pF@40V
导通电阻：3.7mΩ@10V，20A
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+175℃
功率：3.8W€104W
阈值电压：4V@120μA
栅极电荷：32nC@10V
输入电容：2.085nF@40V
连续漏极电流：17A€89A
类型：1个N沟道
导通电阻：5.5mΩ@20A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+175℃
功率：300W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：112nC@10V
输入电容：6.32nF@40V
连续漏极电流：220A
类型：1个N沟道
导通电阻：3mΩ@80A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+175℃
功率：300W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：112nC@10V
输入电容：6.32nF@40V
连续漏极电流：220A
类型：1个N沟道
导通电阻：3mΩ@80A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFD6H846NLT1G
工作温度：-55℃~+175℃
功率：34W
阈值电压：2V@21μA
栅极电荷：8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：900pF@40V
连续漏极电流：31A
类型：1个N沟道
反向传输电容：7pF@40V
导通电阻：12.2mΩ@10V，5A
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFD6H846NLT1G
工作温度：-55℃~+175℃
功率：34W
阈值电压：2V@21μA
栅极电荷：8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：900pF@40V
连续漏极电流：31A
类型：1个N沟道
反向传输电容：7pF@40V
导通电阻：12.2mΩ@10V，5A
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFD6H846NLT1G
工作温度：-55℃~+175℃
功率：34W
阈值电压：2V@21μA
栅极电荷：8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：900pF@40V
连续漏极电流：31A
类型：1个N沟道
反向传输电容：7pF@40V
导通电阻：12.2mΩ@10V，5A
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：104，"21+"：1158，"22+"：47996，"23+"：1600，"MI+"：2400}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP053N08B-F102
工作温度：-55℃~+175℃
功率：146W
阈值电压：4.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：85nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5.96nF@40V
连续漏极电流：75A
类型：1个N沟道
导通电阻：5.3mΩ@75A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86369-F085
工作温度：-55℃~+175℃
功率：150W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：54nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.53nF@40V
连续漏极电流：90A
类型：1个N沟道
导通电阻：7.9mΩ@80A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：104，"21+"：1158，"22+"：47996，"23+"：1600，"MI+"：2400}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP053N08B-F102
工作温度：-55℃~+175℃
功率：146W
阈值电压：4.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：85nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5.96nF@40V
连续漏极电流：75A
类型：1个N沟道
导通电阻：5.3mΩ@75A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
阈值电压：4V@250μA
导通电阻：3mΩ@80A，10V
类型：1个N沟道
工作温度：-55℃~+175℃
栅极电荷：112nC@10V
功率：300W
漏源电压：80V
输入电容：6.32nF@40V
连续漏极电流：220A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：{"20+"：104，"21+"：1158，"22+"：47996，"23+"：1600，"MI+"：2400}
包装规格(MPQ)：50psc
规格型号(MPN)：FDP053N08B-F102
导通电阻：5.3mΩ@75A，10V
类型：1个N沟道
漏源电压：80V
连续漏极电流：75A
栅极电荷：85nC@10V
输入电容：5.96nF@40V
包装方式：管件
功率：146W
工作温度：-55℃~+175℃
阈值电压：4.5V@250μA
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
