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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD2N60CTM
功率：2.5W
阈值电压：4V@250μA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：1.9A
类型：1个N沟道
导通电阻：4.7Ω@10V，950mA
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：FQD2N60CTM
功率：2.5W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：1.9A
类型：1个N沟道
导通电阻：4.7Ω@10V，950mA
漏源电压：600V
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ECCN：EAR99
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类型：1个N沟道
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阈值电压：4V@250μA
连续漏极电流：1.9A
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类型：1个N沟道
导通电阻：4.7Ω@10V，950mA
功率：2.5W
漏源电压：600V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：5.9nC@5V
输入电容：235pF@10V
连续漏极电流：1.9A
类型：1个N沟道
导通电阻：60mΩ@10V，2.2A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：5.9nC@5V
输入电容：235pF@10V
连续漏极电流：1.9A
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导通电阻：60mΩ@10V，2.2A
漏源电压：30V
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阈值电压：4V@250μA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：1.9A
类型：1个N沟道
导通电阻：4.7Ω@10V，950mA
漏源电压：600V
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD2N60CTM
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连续漏极电流：1.9A
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销售单位：个
连续漏极电流：1.9A
功率：500mW
漏源电压：30V
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导通电阻：60mΩ@10V，2.2A
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