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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：1837}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQP12N60C
工作温度：-55℃~+150℃
功率：225W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：63nC@10V
输入电容：2.29nF@25V
连续漏极电流：12A
类型：1个N沟道
导通电阻：650mΩ@6A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQP12N60C
工作温度：-55℃~+150℃
功率：225W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：63nC@10V
输入电容：2.29nF@25V
连续漏极电流：12A
类型：1个N沟道
导通电阻：650mΩ@6A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：1837}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQP12N60C
工作温度：-55℃~+150℃
功率：225W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：63nC@10V
输入电容：2.29nF@25V
连续漏极电流：12A
类型：1个N沟道
导通电阻：650mΩ@6A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：1837}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQP12N60C
工作温度：-55℃~+150℃
功率：225W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：63nC@10V
输入电容：2.29nF@25V
连续漏极电流：12A
类型：1个N沟道
导通电阻：650mΩ@6A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQP12N60C
工作温度：-55℃~+150℃
功率：225W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：63nC@10V
输入电容：2.29nF@25V
连续漏极电流：12A
类型：1个N沟道
导通电阻：650mΩ@6A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQP12N60C
工作温度：-55℃~+150℃
功率：225W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：63nC@10V
输入电容：2.29nF@25V
连续漏极电流：12A
类型：1个N沟道
导通电阻：650mΩ@6A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQP12N60C
工作温度：-55℃~+150℃
功率：225W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：63nC@10V
输入电容：2.29nF@25V
连续漏极电流：12A
类型：1个N沟道
导通电阻：650mΩ@6A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：1837}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQP12N60C
工作温度：-55℃~+150℃
功率：225W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：63nC@10V
输入电容：2.29nF@25V
连续漏极电流：12A
类型：1个N沟道
导通电阻：650mΩ@6A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQP12N60C
工作温度：-55℃~+150℃
功率：225W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：63nC@10V
输入电容：2.29nF@25V
连续漏极电流：12A
类型：1个N沟道
导通电阻：650mΩ@6A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQP12N60C
工作温度：-55℃~+150℃
功率：225W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：63nC@10V
输入电容：2.29nF@25V
连续漏极电流：12A
类型：1个N沟道
导通电阻：650mΩ@6A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQA8N100C
阈值电压：5V@250μA
导通电阻：1.45Ω@10V，4A
连续漏极电流：8A
包装方式：管件
类型：1个N沟道
功率：225W
ECCN：EAR99
漏源电压：1kV
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQP12N60C
输入电容：2.29nF@25V
阈值电压：4V@250μA
工作温度：-55℃~+150℃
类型：1个N沟道
栅极电荷：63nC@10V
漏源电压：600V
功率：225W
导通电阻：650mΩ@6A，10V
连续漏极电流：12A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQA8N100C
阈值电压：5V@250μA
导通电阻：1.45Ω@10V，4A
连续漏极电流：8A
包装方式：管件
类型：1个N沟道
功率：225W
ECCN：EAR99
漏源电压：1kV
包装清单：商品主体 * 1
库存：
