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    品牌
    ON SEMI
    类型
    1个N沟道
    工作温度
    -55℃~+150℃
    栅极电荷
    16.6nC@10V
    品牌： ON SEMI
    类型： 1个N沟道
    工作温度： -55℃~+150℃
    栅极电荷： 16.6nC@10V
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    onsemi Mosfet场效应管 FCP4N60 起订数500个
    onsemi Mosfet场效应管 FCP4N60 起订数500个

    品牌：ON SEMI

    分类：Mosfet场效应管

    数据手册

    销售单位：个

    工作温度：-55℃~+150℃

    功率：50W

    阈值电压：5V@250μA

    栅极电荷：16.6nC@10V

    输入电容：540pF@25V

    连续漏极电流：3.9A

    类型：1个N沟道

    导通电阻：1.2Ω@10V，2A

    漏源电压：600V

    包装清单：商品主体 * 1

    库存：

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    onsemi Mosfet场效应管 FCP4N60 起订数5000个
    onsemi Mosfet场效应管 FCP4N60 起订数5000个

    品牌：ON SEMI

    分类：Mosfet场效应管

    数据手册

    销售单位：个

    工作温度：-55℃~+150℃

    功率：50W

    阈值电压：5V@250μA

    栅极电荷：16.6nC@10V

    输入电容：540pF@25V

    连续漏极电流：3.9A

    类型：1个N沟道

    导通电阻：1.2Ω@10V，2A

    漏源电压：600V

    包装清单：商品主体 * 1

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    onsemi Mosfet场效应管 FCP4N60 起订数1000个
    onsemi Mosfet场效应管 FCP4N60 起订数1000个

    品牌：ON SEMI

    分类：Mosfet场效应管

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    销售单位：个

    工作温度：-55℃~+150℃

    功率：50W

    阈值电压：5V@250μA

    栅极电荷：16.6nC@10V

    输入电容：540pF@25V

    连续漏极电流：3.9A

    类型：1个N沟道

    导通电阻：1.2Ω@10V，2A

    漏源电压：600V

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