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    品牌: ON SEMI
    类型: 1个N沟道
    工作温度: -55℃~+150℃
    漏源电压: 100V
    当前匹配商品:200+
    商品信息
    参数
    库存/批次
    价格
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    数量/起订
    操作
    onsemi Mosfet场效应管 FDT86113LZ 起订4000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDT86113LZ 起订4000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDT86113LZ

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.2W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:6.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:315pF@50V

    连续漏极电流:3.3A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:100mΩ@10V,3.3A

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD86102LZ 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD86102LZ 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD86102LZ

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.1W€54W

    阈值电压:3V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:26nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.54nF@50V

    连续漏极电流:8A€35A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:22.5mΩ@10V,8A

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDT86113LZ 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDT86113LZ 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDT86113LZ

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.2W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:6.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:315pF@50V

    连续漏极电流:3.3A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:100mΩ@10V,3.3A

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQD13N10LTM 起订2500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQD13N10LTM 起订2500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD13N10LTM

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.5W€40W

    阈值电压:2V@250μA

    栅极电荷:12nC@5V

    输入电容:520pF@25V

    连续漏极电流:10A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:180mΩ@10V,5A

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDT86113LZ 起订906个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDT86113LZ 起订906个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":759}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDT86113LZ

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.2W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:315pF@50V

    连续漏极电流:3.3A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:100mΩ@10V,3.3A

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 IRFM120ATF 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 IRFM120ATF 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFM120ATF

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.4W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:22nC@10V

    输入电容:480pF@25V

    连续漏极电流:2.3A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:200mΩ@10V,1.15A

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 IRFM120ATF 起订8000个装
    onsemi Mosfet场效应管 IRFM120ATF 起订8000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFM120ATF

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.4W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:22nC@10V

    输入电容:480pF@25V

    连续漏极电流:2.3A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:200mΩ@10V,1.15A

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD86102LZ 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD86102LZ 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD86102LZ

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.1W€54W

    阈值电压:3V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:26nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.54nF@50V

    连续漏极电流:8A€35A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:22.5mΩ@10V,8A

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQD13N10LTM 起订30个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQD13N10LTM 起订30个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD13N10LTM

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.5W€40W

    阈值电压:2V@250μA

    栅极电荷:12nC@5V

    输入电容:520pF@25V

    连续漏极电流:10A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:180mΩ@10V,5A

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 IRFM120ATF 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 IRFM120ATF 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFM120ATF

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.4W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:22nC@10V

    输入电容:480pF@25V

    连续漏极电流:2.3A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:200mΩ@10V,1.15A

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 BSS123LT1G 起订数6000个
    onsemi Mosfet场效应管 BSS123LT1G 起订数6000个

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:225mW

    阈值电压:2.6V@1mA

    输入电容:20pF@25V

    连续漏极电流:170mA

    类型:1个N沟道

    导通电阻:6Ω@10V,100mA

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS8622 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS8622 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS8622

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.5W€31W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:400pF@50V

    连续漏极电流:4.8A€16.5A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:56mΩ@10V,4.8A

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS3692 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS3692 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS3692

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:4V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:746pF@25V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:60mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD86102LZ 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD86102LZ 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":141000,"23+":47500,"MI+":20000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD86102LZ

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.1W€54W

    阈值电压:3V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:26nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.54nF@50V

    连续漏极电流:8A€35A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:22.5mΩ@10V,8A

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS4D2N10MDT1G 起订数100个
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS4D2N10MDT1G 起订数100个

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:132W

    阈值电压:4V@239μA

    栅极电荷:25nC@6V

    输入电容:3.1nF@50V

    连续漏极电流:113A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:23pF@50V

    导通电阻:3.8mΩ@10V,46A

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDPF3860T 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDPF3860T 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDPF3860T

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:33.8W

    阈值电压:4.5V@250μA

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1.8nF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:38.2mΩ@10V,5.9A

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDPF3860T 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDPF3860T 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDPF3860T

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:33.8W

    阈值电压:4.5V@250μA

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1.8nF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:38.2mΩ@10V,5.9A

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 IRFM120ATF 起订30个装
    onsemi Mosfet场效应管 IRFM120ATF 起订30个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFM120ATF

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.4W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:22nC@10V

    输入电容:480pF@25V

    连续漏极电流:2.3A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:200mΩ@10V,1.15A

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDT86113LZ 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDT86113LZ 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDT86113LZ

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.2W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:315pF@50V

    连续漏极电流:3.3A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:100mΩ@10V,3.3A

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS86106 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS86106 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS86106

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:5W

    阈值电压:4V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:208pF@50V

    连续漏极电流:3.4A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:105mΩ@3.4A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS8622 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS8622 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS8622

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.5W€31W

    阈值电压:4V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:400pF@50V

    连续漏极电流:4.8A€16.5A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:56mΩ@10V,4.8A

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDPF3860T 起订30个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDPF3860T 起订30个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDPF3860T

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:33.8W

    阈值电压:4.5V@250μA

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1.8nF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:38.2mΩ@10V,5.9A

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQD13N10LTM 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQD13N10LTM 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD13N10LTM

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.5W€40W

    阈值电压:2V@250μA

    栅极电荷:12nC@5V

    输入电容:520pF@25V

    连续漏极电流:10A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:180mΩ@10V,5A

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQD13N10LTM 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQD13N10LTM 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD13N10LTM

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.5W€40W

    阈值电压:2V@250μA

    栅极电荷:12nC@5V

    输入电容:520pF@25V

    连续漏极电流:10A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:180mΩ@10V,5A

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS8622 起订3000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS8622 起订3000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS8622

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.5W€31W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:400pF@50V

    连续漏极电流:4.8A€16.5A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:56mΩ@10V,4.8A

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDN8601 起订数1000个
    onsemi Mosfet场效应管 FDN8601 起订数1000个

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:5nC@10V

    输入电容:210pF@50V

    连续漏极电流:2.7A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:109mΩ@10V,1.5A

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD86102LZ 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD86102LZ 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD86102LZ

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.1W€54W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:26nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.54nF@50V

    连续漏极电流:8A€35A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:22.5mΩ@10V,8A

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD86102LZ 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD86102LZ 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD86102LZ

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.1W€54W

    阈值电压:3V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:26nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.54nF@50V

    连续漏极电流:8A€35A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:22.5mΩ@10V,8A

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS3692 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS3692 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS3692

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:4V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:746pF@25V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:60mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS3692 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS3692 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":1500}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS3692

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:4V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:746pF@25V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:60mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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