品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:125mW
阈值电压:1V@250μA
输入电容:12.3pF@15V
连续漏极电流:220mA
类型:1个N沟道
导通电阻:1.5Ω@100mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:350mW
阈值电压:1.06V@250μA
栅极电荷:700pC@4.5V
输入电容:9.5pF@10V
连续漏极电流:220mA
类型:1个N沟道
导通电阻:4Ω@4.5V,400mA
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS138K
工作温度:-55℃~150℃
功率:350mW
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:58pF@25V
连续漏极电流:220mA
类型:N沟道
导通电阻:1.6Ω@50mA,5V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDV301N
工作温度:-55℃~+150℃
功率:350mW
阈值电压:1.06V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:700pC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9.5pF@10V
连续漏极电流:220mA
类型:1个N沟道
导通电阻:4Ω@4.5V,400mA
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存: