品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:225mW
阈值电压:3V@1mA
输入电容:60pF@10V
连续漏极电流:500mA
类型:1个N沟道
导通电阻:5Ω@10V,200mA
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:225mW
阈值电压:3V@1mA
输入电容:60pF@10V
连续漏极电流:500mA
类型:1个N沟道
导通电阻:5Ω@10V,200mA
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTR4003NT3G
工作温度:-55℃~150℃
功率:690mW
阈值电压:1.4V@250µA
栅极电荷:1.15nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:21pF@5V
连续漏极电流:500mA
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@10mA,4V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:225mW
阈值电压:3V@1mA
输入电容:60pF@10V
连续漏极电流:500mA
类型:1个N沟道
导通电阻:5Ω@10V,200mA
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:690mW
阈值电压:1.4V@250μA
栅极电荷:1.15nC@5V
输入电容:21pF@5V
连续漏极电流:500mA
类型:1个N沟道
导通电阻:1.5Ω@4V,10mA
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:225mW
阈值电压:3V@1mA
输入电容:60pF@10V
连续漏极电流:500mA
类型:1个N沟道
导通电阻:5Ω@10V,200mA
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
输入电容:60pF@10V
连续漏极电流:500mA
类型:1个N沟道
导通电阻:5Ω@10V,200mA
阈值电压:3V@1mA
漏源电压:60V
功率:225mW
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:225mW
阈值电压:3V@1mA
输入电容:60pF@10V
连续漏极电流:500mA
类型:1个N沟道
导通电阻:5Ω@10V,200mA
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:225mW
阈值电压:3V@1mA
输入电容:60pF@10V
连续漏极电流:500mA
类型:1个N沟道
导通电阻:5Ω@10V,200mA
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:830mW
阈值电压:3V@1mA
输入电容:40pF@10V
连续漏极电流:500mA
类型:1个N沟道
导通电阻:5Ω@10V,200mA
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
输入电容:60pF@10V
连续漏极电流:500mA
类型:1个N沟道
导通电阻:5Ω@10V,200mA
阈值电压:3V@1mA
漏源电压:60V
功率:225mW
包装清单:商品主体 * 1
库存: