采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+175℃
功率：1.5W€48W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：20nC@10V
输入电容：450pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：1个N沟道
导通电阻：94mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+175℃
功率：3W€40W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：20nC@10V
输入电容：1.2nF@25V
连续漏极电流：59A€16A
类型：1个N沟道
导通电阻：5.8mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVD5C464NT4G
工作温度：-55℃~+175℃
功率：3W€40W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.2nF@25V
连续漏极电流：59A€16A
类型：1个N沟道
导通电阻：5.8mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+175℃
功率：3W€40W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：20nC@10V
输入电容：1.2nF@25V
连续漏极电流：59A€16A
类型：1个N沟道
导通电阻：5.8mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+175℃
功率：3W€40W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：20nC@10V
输入电容：1.2nF@25V
连续漏极电流：59A€16A
类型：1个N沟道
导通电阻：5.8mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVD5C464NT4G
工作温度：-55℃~+175℃
功率：3W€40W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.2nF@25V
连续漏极电流：59A€16A
类型：1个N沟道
导通电阻：5.8mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
阈值电压：4V@250μA
输入电容：1.2nF@25V
类型：1个N沟道
漏源电压：40V
工作温度：-55℃~+175℃
栅极电荷：20nC@10V
功率：3W€40W
连续漏极电流：59A€16A
导通电阻：5.8mΩ@30A，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
