品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"11+":7050,"9999":284}
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NDF04N62ZG
工作温度:-55℃~150℃
功率:28W
阈值电压:4.5V@50µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:管件
输入电容:535pF@25V
连续漏极电流:4.4A
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@2A,10V
漏源电压:620V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86252L
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€50W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1335pF@75V
连续漏极电流:4.4A
类型:N沟道
导通电阻:56mΩ@4.4A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86252L
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€50W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1335pF@75V
连续漏极电流:4.4A
类型:N沟道
导通电阻:56mΩ@4.4A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":3000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDM3622
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1090pF@25V
连续漏极电流:4.4A
类型:N沟道
导通电阻:60mΩ@4.4A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDM3622
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1090pF@25V
连续漏极电流:4.4A
类型:N沟道
导通电阻:60mΩ@4.4A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDM3622
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1090pF@25V
连续漏极电流:4.4A
类型:N沟道
导通电阻:60mΩ@4.4A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":5470}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86252L
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€50W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1335pF@75V
连续漏极电流:4.4A
类型:N沟道
导通电阻:56mΩ@4.4A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86252L
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€50W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1335pF@75V
连续漏极电流:4.4A
类型:N沟道
导通电阻:56mΩ@4.4A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86252L
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€50W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1335pF@75V
连续漏极电流:4.4A
类型:N沟道
导通电阻:56mΩ@4.4A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86252L
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€50W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1335pF@75V
连续漏极电流:4.4A
类型:N沟道
导通电阻:56mΩ@4.4A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"11+":7050,"9999":284}
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NDF04N62ZG
工作温度:-55℃~150℃
功率:28W
阈值电压:4.5V@50µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:管件
输入电容:535pF@25V
连续漏极电流:4.4A
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@2A,10V
漏源电压:620V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDM3622
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1090pF@25V
连续漏极电流:4.4A
类型:N沟道
导通电阻:60mΩ@4.4A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDM3622
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1090pF@25V
连续漏极电流:4.4A
类型:N沟道
导通电阻:60mΩ@4.4A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDM3622
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1090pF@25V
连续漏极电流:4.4A
类型:N沟道
导通电阻:60mΩ@4.4A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86252L
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€50W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1335pF@75V
连续漏极电流:4.4A
类型:N沟道
导通电阻:56mΩ@4.4A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDM3622
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1090pF@25V
连续漏极电流:4.4A
类型:N沟道
导通电阻:60mΩ@4.4A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86252L
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€50W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1335pF@75V
连续漏极电流:4.4A
类型:N沟道
导通电阻:56mΩ@4.4A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDM3622
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1090pF@25V
连续漏极电流:4.4A
类型:N沟道
导通电阻:60mΩ@4.4A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDM3622
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1090pF@25V
连续漏极电流:4.4A
类型:N沟道
导通电阻:60mΩ@4.4A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDM3622
输入电容:1090pF@25V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W
栅极电荷:17nC@10V
类型:N沟道
阈值电压:4V@250µA
导通电阻:60mΩ@4.4A,10V
连续漏极电流:4.4A
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86252L
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€50W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1335pF@75V
连续漏极电流:4.4A
类型:N沟道
导通电阻:56mΩ@4.4A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86252L
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€50W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1335pF@75V
连续漏极电流:4.4A
类型:N沟道
导通电阻:56mΩ@4.4A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86252L
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€50W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1335pF@75V
连续漏极电流:4.4A
类型:N沟道
导通电阻:56mΩ@4.4A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDM3622
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1090pF@25V
连续漏极电流:4.4A
类型:N沟道
导通电阻:60mΩ@4.4A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDM3622
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1090pF@25V
连续漏极电流:4.4A
类型:N沟道
导通电阻:60mΩ@4.4A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDM3622
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1090pF@25V
连续漏极电流:4.4A
类型:N沟道
导通电阻:60mΩ@4.4A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":5470}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86252L
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€50W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1335pF@75V
连续漏极电流:4.4A
类型:N沟道
导通电阻:56mΩ@4.4A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":3000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDM3622
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1090pF@25V
连续漏极电流:4.4A
类型:N沟道
导通电阻:60mΩ@4.4A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDM3622
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1090pF@25V
连续漏极电流:4.4A
类型:N沟道
导通电阻:60mΩ@4.4A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存: