品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS4C01NWFT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.84W€161W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:139nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:10144pF@15V
连续漏极电流:49A€319A
类型:N沟道
导通电阻:0.9mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS5C680NLWFTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€20W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:327pF@25V
连续漏极电流:7.82A€20A
类型:N沟道
导通电阻:26.5mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS4C25NWFTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€14.3W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:10.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:500pF@15V
连续漏极电流:10.1A€22.1A
类型:N沟道
导通电阻:17mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS4C25NTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€14.3W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:500pF@15V
连续漏极电流:10.1A€22.1A
类型:N沟道
导通电阻:17mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS4C10NWFTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€28W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:993pF@15V
连续漏极电流:15.3A€47A
类型:N沟道
导通电阻:7.4mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS4C01NWFT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.84W€161W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:139nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:10144pF@15V
连续漏极电流:49A€319A
类型:N沟道
导通电阻:0.9mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS4C05NTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.2W€68W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1988pF@15V
连续漏极电流:22A€102A
类型:N沟道
导通电阻:3.6mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS4C05NTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.2W€68W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1988pF@15V
连续漏极电流:22A€102A
类型:N沟道
导通电阻:3.6mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS5C454NLTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:55W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1600pF@25V
连续漏极电流:85A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS5C454NLWFTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:55W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:8.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1600pF@25V
连续漏极电流:85A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS5C658NLWFTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:114W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:12nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1935pF@25V
连续漏极电流:109A
类型:N沟道
导通电阻:5mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS5C454NLWFTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:55W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:8.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1600pF@25V
连续漏极电流:85A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS4C25NWFTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€14.3W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:10.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:500pF@15V
连续漏极电流:10.1A€22.1A
类型:N沟道
导通电阻:17mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS4C05NWFTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.2W€68W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1988pF@15V
连续漏极电流:22A€102A
类型:N沟道
导通电阻:3.6mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS4C06NTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€37W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1683pF@15V
连续漏极电流:21A
类型:N沟道
导通电阻:4.2mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"09+":6150}
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD4909N-1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.37W€29.4W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17.5nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1314pF@15V
连续漏极电流:8.8A€41A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS4C10NWFTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€28W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:993pF@15V
连续漏极电流:15.3A€47A
类型:N沟道
导通电阻:7.4mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS5C658NLWFTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:114W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:12nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1935pF@25V
连续漏极电流:109A
类型:N沟道
导通电阻:5mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS4C03NT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.71W€77W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:45.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3071pF@15V
连续漏极电流:31.4A€143A
类型:N沟道
导通电阻:2.1mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS4C03NT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.71W€77W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:45.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3071pF@15V
连续漏极电流:31.4A€143A
类型:N沟道
导通电阻:2.1mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS4C302NT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.75W€115W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:82nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5780pF@15V
连续漏极电流:43A€241A
类型:N沟道
导通电阻:1.15mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS4C05NWFTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.2W€68W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1988pF@15V
连续漏极电流:22A€102A
类型:N沟道
导通电阻:3.6mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS4C25NWFTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€14.3W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:10.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:500pF@15V
连续漏极电流:10.1A€22.1A
类型:N沟道
导通电阻:17mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS4C05NT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.61W€79W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1972pF@15V
连续漏极电流:24.7A€116A
类型:N沟道
导通电阻:3.4mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS4C25NTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€14.3W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:500pF@15V
连续漏极电流:10.1A€22.1A
类型:N沟道
导通电阻:17mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVD6416ANLT4G-VF01
工作温度:-55℃~175℃
功率:71W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1000pF@25V
连续漏极电流:19A
类型:N沟道
导通电阻:74mΩ@19A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS4C25NTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€14.3W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:500pF@15V
连续漏极电流:10.1A€22.1A
类型:N沟道
导通电阻:17mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS4C08NTWG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€31W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1113pF@15V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:5.9mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"10+":59860,"15+":1500}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD4910NT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.37W€27.3W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1203pF@15V
连续漏极电流:8.2A€37A
类型:N沟道
导通电阻:9mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS4C302NT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.75W€115W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:82nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5780pF@15V
连续漏极电流:43A€241A
类型:N沟道
导通电阻:1.15mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: