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    onsemi Mosfet场效应管 NTD4858NT4G 起订971个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4858NT4G 起订971个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"08+":2974,"10+":202,"12+":199,"13+":564,"14+":63445,"16+":7500,"18+":39000,"19+":22914,"21+":27500,"22+":3872}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD4858NT4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.3W€54.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:19.2nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1563pF@12V

    连续漏极电流:11.2A€73A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.2mΩ@30A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4865NT4G 起订2004个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4865NT4G 起订2004个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"10+":22500,"11+":517500}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD4865NT4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.27W€33.3W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:827pF@12V

    连续漏极电流:8.5A€44A

    类型:N沟道

    导通电阻:10.9mΩ@30A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4860NT4G 起订902个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4860NT4G 起订902个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"08+":2600,"10+":22000,"MI+":1060}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD4860NT4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.28W€50W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1308pF@12V

    连续漏极电流:10.4A€65A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.5mΩ@30A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4855N-35G 起订972个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4855N-35G 起订972个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"08+":2925}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD4855N-35G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.35W€66.7W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:32.7nC@4.5V

    包装方式:管件

    输入电容:2950pF@12V

    连续漏极电流:14A€98A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.3mΩ@30A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4854N-35G 起订329个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4854N-35G 起订329个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"08+":4950}

    包装规格(MPQ):75psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD4854N-35G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.43W€93.75W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:49.2nC@4.5V

    包装方式:管件

    输入电容:4600pF@12V

    连续漏极电流:15.7A€128A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.6mΩ@30A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4856N-35G 起订1145个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4856N-35G 起订1145个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"08+":2550}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD4856N-35G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.33W€60W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:27nC@4.5V

    包装方式:管件

    输入电容:2241pF@12V

    连续漏极电流:13.3A€89A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.7mΩ@30A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4863NAT4G 起订1233个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4863NAT4G 起订1233个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"11+":355000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD4863NAT4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.27W€36.6W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:990pF@12V

    连续漏极电流:9.2A€49A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.3mΩ@30A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4863N-35G 起订1233个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4863N-35G 起订1233个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"07+":1500,"10+":45825,"11+":195900}

    包装规格(MPQ):75psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD4863N-35G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.27W€36.6W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13.5nC@4.5V

    包装方式:管件

    输入电容:990pF@12V

    连续漏极电流:9.2A€49A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.3mΩ@30A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4854N-1G 起订329个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4854N-1G 起订329个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"07+":1800}

    包装规格(MPQ):75psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD4854N-1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.43W€93.75W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:49.2nC@4.5V

    包装方式:管件

    输入电容:4600pF@12V

    连续漏极电流:15.7A€128A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.6mΩ@30A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4858N-35G 起订971个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4858N-35G 起订971个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"11+":75,"13+":750,"14+":110416,"18+":5425}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD4858N-35G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.3W€54.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:19.2nC@4.5V

    包装方式:管件

    输入电容:1563pF@12V

    连续漏极电流:11.2A€73A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.2mΩ@30A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4858NAT4G 起订1687个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4858NAT4G 起订1687个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"08+":1080,"11+":55889}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD4858NAT4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.3W€54.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:19.2nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1563pF@12V

    连续漏极电流:11.2A€73A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.2mΩ@30A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4863N-35G 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4863N-35G 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"07+":1500,"10+":45825,"11+":195900}

    包装规格(MPQ):75psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD4863N-35G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.27W€36.6W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13.5nC@4.5V

    包装方式:管件

    输入电容:990pF@12V

    连续漏极电流:9.2A€49A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.3mΩ@30A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4856N-1G 起订1145个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4856N-1G 起订1145个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"08+":2250}

    包装规格(MPQ):75psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD4856N-1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.33W€60W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:27nC@4.5V

    包装方式:管件

    输入电容:2241pF@12V

    连续漏极电流:13.3A€89A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.7mΩ@30A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4855N-1G 起订1188个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4855N-1G 起订1188个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"07+":10425}

    包装规格(MPQ):75psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD4855N-1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.35W€66.7W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:32.7nC@4.5V

    包装方式:管件

    输入电容:2950pF@12V

    连续漏极电流:14A€98A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.3mΩ@30A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC7582 起订745个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC7582 起订745个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":63000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC7582

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.3W€52W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:28nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1795pF@13V

    连续漏极电流:16.7A€49A

    类型:N沟道

    导通电阻:5mΩ@16.7A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4857NA-1G 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4857NA-1G 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"08+":5700}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD4857NA-1G

    工作温度:-55℃~175℃

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1960pF@12V

    连续漏极电流:12A€78A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.7mΩ@30A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4858N-35G 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4858N-35G 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"11+":75,"13+":750,"14+":110416,"18+":5425}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD4858N-35G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.3W€54.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:19.2nC@4.5V

    包装方式:管件

    输入电容:1563pF@12V

    连续漏极电流:11.2A€73A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.2mΩ@30A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4860NA-1G 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4860NA-1G 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"08+":8325}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD4860NA-1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.28W€50W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:21.8nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1308pF@12V

    连续漏极电流:10.4A€65A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.5mΩ@30A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4860NT4G 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4860NT4G 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"08+":2600,"10+":22000,"MI+":1060}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD4860NT4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.28W€50W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1308pF@12V

    连续漏极电流:10.4A€65A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.5mΩ@30A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4860NT4G 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4860NT4G 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"08+":2600,"10+":22000,"MI+":1060}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD4860NT4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.28W€50W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1308pF@12V

    连续漏极电流:10.4A€65A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.5mΩ@30A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4865N-1G 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4865N-1G 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"07+":13050}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD4865N-1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.27W€33.3W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10.8nC@4.5V

    包装方式:管件

    输入电容:827pF@12V

    连续漏极电流:8.5A€44A

    类型:N沟道

    导通电阻:10.9mΩ@30A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4854N-1G 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4854N-1G 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"07+":1800}

    包装规格(MPQ):75psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD4854N-1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.43W€93.75W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:49.2nC@4.5V

    包装方式:管件

    输入电容:4600pF@12V

    连续漏极电流:15.7A€128A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.6mΩ@30A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4854N-1G 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4854N-1G 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"07+":1800}

    包装规格(MPQ):75psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD4854N-1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.43W€93.75W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:49.2nC@4.5V

    包装方式:管件

    输入电容:4600pF@12V

    连续漏极电流:15.7A€128A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.6mΩ@30A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4863N-1G 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4863N-1G 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"07+":8475}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD4863N-1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.27W€36.6W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13.5nC@4.5V

    包装方式:管件

    输入电容:990pF@12V

    连续漏极电流:9.2A€49A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.3mΩ@30A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4863NT4G 起订1233个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4863NT4G 起订1233个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD4863NT4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.27W€36.6W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:13.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:990pF@12V

    连续漏极电流:9.2A€49A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.3mΩ@30A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4858N-35G 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4858N-35G 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD4858N-35G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.3W€54.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:19.2nC@4.5V

    包装方式:管件

    输入电容:1563pF@12V

    连续漏极电流:11.2A€73A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.2mΩ@30A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4860NT4G 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4860NT4G 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD4860NT4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.28W€50W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:16.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1308pF@12V

    连续漏极电流:10.4A€65A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.5mΩ@30A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4855N-1G 起订1188个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4855N-1G 起订1188个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):75psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD4855N-1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.35W€66.7W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:32.7nC@4.5V

    包装方式:管件

    输入电容:2950pF@12V

    连续漏极电流:14A€98A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.3mΩ@30A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4857NA-1G 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4857NA-1G 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD4857NA-1G

    工作温度:-55℃~175℃

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1960pF@12V

    连续漏极电流:12A€78A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.7mΩ@30A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4855NT4G 起订1106个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4855NT4G 起订1106个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD4855NT4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.35W€66.7W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:32.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2950pF@12V

    连续漏极电流:14A€98A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.3mΩ@30A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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