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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS6H864NT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.5W€33W
阈值电压：4V@20µA
栅极电荷：6.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：370pF@40V
连续漏极电流：6.7A€21A
类型：N沟道
导通电阻：32mΩ@5A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS6H864NT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.5W€33W
阈值电压：4V@20µA
栅极电荷：6.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：370pF@40V
连续漏极电流：6.7A€21A
类型：N沟道
导通电阻：32mΩ@5A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS6H880NWFTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€31W
阈值电压：4V@20µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：370pF@40V
连续漏极电流：6.3A€21A
类型：N沟道
导通电阻：32mΩ@5A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS6H864NWFT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.5W€33W
阈值电压：4V@20µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：370pF@40V
连续漏极电流：6.7A€21A
类型：N沟道
导通电阻：32mΩ@5A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS6H864NT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.5W€33W
阈值电压：4V@20µA
栅极电荷：6.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：370pF@40V
连续漏极电流：6.7A€21A
类型：N沟道
导通电阻：32mΩ@5A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS024N06CT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.4W€28W
阈值电压：4V@20µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：333pF@30V
连续漏极电流：8A€25A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS6H880NTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€31W
阈值电压：4V@20µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：370pF@40V
连续漏极电流：6.3A€21A
类型：N沟道
导通电阻：32mΩ@5A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS6H880NWFTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€31W
阈值电压：4V@20µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：370pF@40V
连续漏极电流：6.3A€21A
类型：N沟道
导通电阻：32mΩ@5A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：160500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS020N06CTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.5W€31W
阈值电压：4V@20µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：355pF@30V
连续漏极电流：7A€27A
类型：N沟道
导通电阻：20.3mΩ@4A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS6H864NT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.5W€33W
阈值电压：4V@20µA
栅极电荷：6.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：370pF@40V
连续漏极电流：6.7A€21A
类型：N沟道
导通电阻：32mΩ@5A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS6H864NT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.5W€33W
阈值电压：4V@20µA
栅极电荷：6.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：370pF@40V
连续漏极电流：6.7A€21A
类型：N沟道
导通电阻：32mΩ@5A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS6H880NWFTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€31W
阈值电压：4V@20µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：370pF@40V
连续漏极电流：6.3A€21A
类型：N沟道
导通电阻：32mΩ@5A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS024N06CT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.4W€28W
阈值电压：4V@20µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：333pF@30V
连续漏极电流：8A€25A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS024N06CT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.4W€28W
阈值电压：4V@20µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：333pF@30V
连续漏极电流：8A€25A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS6H864NWFT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.5W€33W
阈值电压：4V@20µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：370pF@40V
连续漏极电流：6.7A€21A
类型：N沟道
导通电阻：32mΩ@5A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS6H864NT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.5W€33W
阈值电压：4V@20µA
栅极电荷：6.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：370pF@40V
连续漏极电流：6.7A€21A
类型：N沟道
导通电阻：32mΩ@5A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS6H864NT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.5W€33W
阈值电压：4V@20µA
栅极电荷：6.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：370pF@40V
连续漏极电流：6.7A€21A
类型：N沟道
导通电阻：32mΩ@5A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS024N06CT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.4W€28W
阈值电压：4V@20µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：333pF@30V
连续漏极电流：8A€25A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS6H864NT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.5W€33W
阈值电压：4V@20µA
栅极电荷：6.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：370pF@40V
连续漏极电流：6.7A€21A
类型：N沟道
导通电阻：32mΩ@5A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS6H864NT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.5W€33W
阈值电压：4V@20µA
栅极电荷：6.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：370pF@40V
连续漏极电流：6.7A€21A
类型：N沟道
导通电阻：32mΩ@5A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS6H864NWFT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.5W€33W
阈值电压：4V@20µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：370pF@40V
连续漏极电流：6.7A€21A
类型：N沟道
导通电阻：32mΩ@5A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS6H880NWFTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€31W
阈值电压：4V@20µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：370pF@40V
连续漏极电流：6.3A€21A
类型：N沟道
导通电阻：32mΩ@5A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS020N06CTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.5W€31W
阈值电压：4V@20µA
栅极电荷：5.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：355pF@30V
连续漏极电流：7A€27A
类型：N沟道
导通电阻：20.3mΩ@4A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS6H880NTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€31W
阈值电压：4V@20µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：370pF@40V
连续漏极电流：6.3A€21A
类型：N沟道
导通电阻：32mΩ@5A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：160500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS020N06CTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.5W€31W
阈值电压：4V@20µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：355pF@30V
连续漏极电流：7A€27A
类型：N沟道
导通电阻：20.3mΩ@4A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS6H864NWFT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.5W€33W
阈值电压：4V@20µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：370pF@40V
连续漏极电流：6.7A€21A
类型：N沟道
导通电阻：32mΩ@5A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS6H880NTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€31W
阈值电压：4V@20µA
栅极电荷：6.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：370pF@40V
连续漏极电流：6.3A€21A
类型：N沟道
导通电阻：32mΩ@5A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：160500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS020N06CTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.5W€31W
阈值电压：4V@20µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：355pF@30V
连续漏极电流：7A€27A
类型：N沟道
导通电阻：20.3mΩ@4A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS6H864NWFT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.5W€33W
阈值电压：4V@20µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：370pF@40V
连续漏极电流：6.7A€21A
类型：N沟道
导通电阻：32mΩ@5A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS6H864NWFT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.5W€33W
阈值电压：4V@20µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：370pF@40V
连续漏极电流：6.7A€21A
类型：N沟道
导通电阻：32mΩ@5A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
