采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMTS1D6N10MCTXG
工作温度：-55℃~175℃
功率：5W€291W
阈值电压：4V@650µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：106nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7630pF@50V
连续漏极电流：36A€273A
类型：N沟道
导通电阻：1.7mΩ@90A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMTS1D6N10MCTXG
工作温度：-55℃~175℃
功率：5W€291W
阈值电压：4V@650µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：106nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7630pF@50V
连续漏极电流：36A€273A
类型：N沟道
导通电阻：1.7mΩ@90A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBLS1D1N08H
工作温度：-55℃~175℃
功率：4.2W€311W
阈值电压：4V@650µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：166nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11200pF@40V
连续漏极电流：41A€351A
类型：N沟道
导通电阻：1.05mΩ@50A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBLS1D1N08H
工作温度：-55℃~175℃
功率：4.2W€311W
阈值电压：4V@650µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：166nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11200pF@40V
连续漏极电流：41A€351A
类型：N沟道
导通电阻：1.05mΩ@50A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMTSC1D6N10MCTXG
工作温度：-55℃~175℃
功率：5.1W€291W
阈值电压：4V@650µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：106nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7630pF@50V
连续漏极电流：35A€267A
类型：N沟道
导通电阻：1.7mΩ@90A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：2750，"23+"：6000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMTS1D5N08MC
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.3W
阈值电压：4V@650µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：140nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10400pF@40V
连续漏极电流：33A€287A
类型：N沟道
导通电阻：1.56mΩ@80A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMTS1D6N10MCTXG
工作温度：-55℃~175℃
功率：5W€291W
阈值电压：4V@650µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：106nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7630pF@50V
连续漏极电流：36A€273A
类型：N沟道
导通电阻：1.7mΩ@90A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"MI+"：3175}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMTS1D6N10MCTXG
工作温度：-55℃~175℃
功率：5W€291W
阈值电压：4V@650µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：106nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7630pF@50V
连续漏极电流：36A€273A
类型：N沟道
导通电阻：1.7mΩ@90A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"MI+"：3175}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMTS1D6N10MCTXG
工作温度：-55℃~175℃
功率：5W€291W
阈值电压：4V@650µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：106nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7630pF@50V
连续漏极电流：36A€273A
类型：N沟道
导通电阻：1.7mΩ@90A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMTS1D6N10MCTXG
工作温度：-55℃~175℃
功率：5W€291W
阈值电压：4V@650µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：106nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7630pF@50V
连续漏极电流：36A€273A
类型：N沟道
导通电阻：1.7mΩ@90A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：2210，"23+"：2148}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMTS1D6N10MCTXG
工作温度：-55℃~175℃
功率：5W€291W
阈值电压：4V@650µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：106nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7630pF@50V
连续漏极电流：36A€273A
类型：N沟道
导通电阻：1.7mΩ@90A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMTS1D5N08MC
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.3W
阈值电压：4V@650µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：140nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10400pF@40V
连续漏极电流：33A€287A
类型：N沟道
导通电阻：1.56mΩ@80A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：73772}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMTSC1D6N10MCTXG
工作温度：-55℃~175℃
功率：5.1W€291W
阈值电压：4V@650µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：106nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7630pF@50V
连续漏极电流：35A€267A
类型：N沟道
导通电阻：1.7mΩ@90A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：631}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVBLS1D1N08H
工作温度：-55℃~175℃
功率：4.2W€311W
阈值电压：4V@650µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：166nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11200pF@40V
连续漏极电流：41A€351A
类型：N沟道
导通电阻：1.05mΩ@50A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMTSC1D6N10MCTXG
工作温度：-55℃~175℃
功率：5.1W€291W
阈值电压：4V@650µA
栅极电荷：106nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7630pF@50V
连续漏极电流：35A€267A
类型：N沟道
导通电阻：1.7mΩ@90A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMTS1D5N08MC
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.3W
阈值电压：4V@650µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：140nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10400pF@40V
连续漏极电流：33A€287A
类型：N沟道
导通电阻：1.56mΩ@80A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMTS1D6N10MCTXG
工作温度：-55℃~175℃
功率：5W€291W
阈值电压：4V@650µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：106nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7630pF@50V
连续漏极电流：36A€273A
类型：N沟道
导通电阻：1.7mΩ@90A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMTS1D6N10MCTXG
工作温度：-55℃~175℃
功率：5W€291W
阈值电压：4V@650µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：106nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7630pF@50V
连续漏极电流：36A€273A
类型：N沟道
导通电阻：1.7mΩ@90A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：2750，"23+"：6000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMTS1D5N08MC
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.3W
阈值电压：4V@650µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：140nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10400pF@40V
连续漏极电流：33A€287A
类型：N沟道
导通电阻：1.56mΩ@80A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：2750，"23+"：6000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMTS1D5N08MC
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.3W
阈值电压：4V@650µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：140nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10400pF@40V
连续漏极电流：33A€287A
类型：N沟道
导通电阻：1.56mΩ@80A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMTSC1D6N10MCTXG
工作温度：-55℃~175℃
功率：5.1W€291W
阈值电压：4V@650µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：106nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7630pF@50V
连续漏极电流：35A€267A
类型：N沟道
导通电阻：1.7mΩ@90A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVBLS1D1N08H
工作温度：-55℃~175℃
功率：4.2W€311W
阈值电压：4V@650µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：166nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11200pF@40V
连续漏极电流：41A€351A
类型：N沟道
导通电阻：1.05mΩ@50A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMTS1D6N10MCTXG
工作温度：-55℃~175℃
功率：5W€291W
阈值电压：4V@650µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：106nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7630pF@50V
连续漏极电流：36A€273A
类型：N沟道
导通电阻：1.7mΩ@90A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：2750，"23+"：6000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMTS1D5N08MC
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.3W
阈值电压：4V@650µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：140nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10400pF@40V
连续漏极电流：33A€287A
类型：N沟道
导通电阻：1.56mΩ@80A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：121610，"MI+"：6000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMTSC1D6N10MCTXG
工作温度：-55℃~175℃
功率：5.1W€291W
阈值电压：4V@650µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：106nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7630pF@50V
连续漏极电流：35A€267A
类型：N沟道
导通电阻：1.7mΩ@90A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMTSC1D6N10MCTXG
工作温度：-55℃~175℃
功率：5.1W€291W
阈值电压：4V@650µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：106nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7630pF@50V
连续漏极电流：35A€267A
类型：N沟道
导通电阻：1.7mΩ@90A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMTS1D6N10MCTXG
工作温度：-55℃~175℃
功率：5W€291W
阈值电压：4V@650µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：106nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7630pF@50V
连续漏极电流：36A€273A
类型：N沟道
导通电阻：1.7mΩ@90A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMTS1D6N10MCTXG
工作温度：-55℃~175℃
功率：5W€291W
阈值电压：4V@650µA
栅极电荷：106nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7630pF@50V
连续漏极电流：36A€273A
类型：N沟道
导通电阻：1.7mΩ@90A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMTSC1D6N10MCTXG
工作温度：-55℃~175℃
功率：5.1W€291W
阈值电压：4V@650µA
栅极电荷：106nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7630pF@50V
连续漏极电流：35A€267A
类型：N沟道
导通电阻：1.7mΩ@90A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMTSC1D5N08MC
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.3W€250W
阈值电压：4V@650µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：140nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10400pF@40V
连续漏极电流：33A€287A
类型：N沟道
导通电阻：1.56mΩ@80A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
