品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTTFS4C02NTAG
工作温度:-55℃~150℃
功率:91W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:20nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2980pF@15V
连续漏极电流:170A
类型:N沟道
导通电阻:2.25mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"08+":39610,"10+":16500,"11+":3000,"12+":24000,"18+":1500}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS4851NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:870mW€41.7W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1850pF@12V
连续漏极电流:9.5A€66A
类型:N沟道
导通电阻:5.9mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTTFS4C02NTAG
工作温度:-55℃~150℃
功率:91W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:20nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2980pF@15V
连续漏极电流:170A
类型:N沟道
导通电阻:2.25mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTTFS4C02NTAG
工作温度:-55℃~150℃
功率:91W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:20nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2980pF@15V
连续漏极电流:170A
类型:N沟道
导通电阻:2.25mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTTFS4C02NTAG
工作温度:-55℃~150℃
功率:91W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:20nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2980pF@15V
连续漏极电流:170A
类型:N沟道
导通电阻:2.25mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"08+":39610,"10+":16500,"11+":3000,"12+":24000,"18+":1500}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS4851NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:870mW€41.7W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1850pF@12V
连续漏极电流:9.5A€66A
类型:N沟道
导通电阻:5.9mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTTFS4C02NTAG
工作温度:-55℃~150℃
功率:91W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2980pF@15V
连续漏极电流:170A
类型:N沟道
导通电阻:2.25mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD30N02G
工作温度:-55℃~150℃
功率:75W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:20nC@4.5V
包装方式:管件
输入电容:1000pF@20V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:14.5mΩ@30A,10V
漏源电压:24V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS4851NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:870mW€41.7W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:20nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1850pF@12V
连续漏极电流:9.5A€66A
类型:N沟道
导通电阻:5.9mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS4851NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:870mW€41.7W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:20nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1850pF@12V
连续漏极电流:9.5A€66A
类型:N沟道
导通电阻:5.9mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":497,"MI+":2015}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTTFS4C02NTAG
工作温度:-55℃~150℃
功率:91W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2980pF@15V
连续漏极电流:170A
类型:N沟道
导通电阻:2.25mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":1500}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTTFS4C02NTAG
工作温度:-55℃~150℃
功率:91W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2980pF@15V
连续漏极电流:170A
类型:N沟道
导通电阻:2.25mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTTFS4C02NTAG
工作温度:-55℃~150℃
功率:91W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2980pF@15V
连续漏极电流:170A
类型:N沟道
导通电阻:2.25mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTTFS4C02NTAG
工作温度:-55℃~150℃
功率:91W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2980pF@15V
连续漏极电流:170A
类型:N沟道
导通电阻:2.25mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTTFS4C02NTAG
工作温度:-55℃~150℃
功率:91W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:20nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2980pF@15V
连续漏极电流:170A
类型:N沟道
导通电阻:2.25mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"06+":4800}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD30N02G
工作温度:-55℃~150℃
功率:75W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@4.5V
包装方式:管件
输入电容:1000pF@20V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:14.5mΩ@30A,10V
漏源电压:24V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTTFS4C02NTAG
工作温度:-55℃~150℃
功率:91W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2980pF@15V
连续漏极电流:170A
类型:N沟道
导通电阻:2.25mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTTFS4C02NTAG
工作温度:-55℃~150℃
功率:91W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2980pF@15V
连续漏极电流:170A
类型:N沟道
导通电阻:2.25mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTTFS4C02NTAG
工作温度:-55℃~150℃
功率:91W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2980pF@15V
连续漏极电流:170A
类型:N沟道
导通电阻:2.25mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTTFS4C02NTAG
工作温度:-55℃~150℃
功率:91W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2980pF@15V
连续漏极电流:170A
类型:N沟道
导通电阻:2.25mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":1500}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTTFS4C02NTAG
工作温度:-55℃~150℃
功率:91W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2980pF@15V
连续漏极电流:170A
类型:N沟道
导通电阻:2.25mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTTFS4C02NTAG
工作温度:-55℃~150℃
功率:91W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2980pF@15V
连续漏极电流:170A
类型:N沟道
导通电阻:2.25mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTTFS4C02NTAG
工作温度:-55℃~150℃
功率:91W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2980pF@15V
连续漏极电流:170A
类型:N沟道
导通电阻:2.25mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTTFS4C02NTAG
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:20nC@4.5V
类型:N沟道
连续漏极电流:170A
功率:91W
阈值电压:2.2V@250µA
导通电阻:2.25mΩ@20A,10V
输入电容:2980pF@15V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTTFS4C02NTAG
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:20nC@4.5V
类型:N沟道
连续漏极电流:170A
功率:91W
阈值电压:2.2V@250µA
导通电阻:2.25mΩ@20A,10V
输入电容:2980pF@15V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTTFS4C02NTAG
工作温度:-55℃~150℃
功率:91W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:20nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2980pF@15V
连续漏极电流:170A
类型:N沟道
导通电阻:2.25mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"06+":4800}
规格型号(MPN):NTD30N02G
输入电容:1000pF@20V
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:20nC@4.5V
类型:N沟道
漏源电压:24V
包装方式:管件
导通电阻:14.5mΩ@30A,10V
连续漏极电流:30A
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
功率:75W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTTFS4C02NTAG
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:20nC@4.5V
类型:N沟道
连续漏极电流:170A
功率:91W
阈值电压:2.2V@250µA
导通电阻:2.25mΩ@20A,10V
输入电容:2980pF@15V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":497,"MI+":2015}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTTFS4C02NTAG
工作温度:-55℃~150℃
功率:91W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2980pF@15V
连续漏极电流:170A
类型:N沟道
导通电阻:2.25mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":497,"MI+":2015}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTTFS4C02NTAG
工作温度:-55℃~150℃
功率:91W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2980pF@15V
连续漏极电流:170A
类型:N沟道
导通电阻:2.25mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: