品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTTFS012N10MDTAG
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.7W€62W
阈值电压:4V@78µA
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:965pF@50V
连续漏极电流:9.2A€45A
类型:N沟道
导通电阻:14.4mΩ@15A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMA7672
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.4W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:760pF@15V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:21mΩ@9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS86242
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€5W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:760pF@75V
连续漏极电流:4.1A
类型:N沟道
导通电阻:67mΩ@4.1A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS86242
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€5W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:760pF@75V
连续漏极电流:4.1A
类型:N沟道
导通电阻:67mΩ@4.1A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS86242
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€5W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:760pF@75V
连续漏极电流:4.1A
类型:N沟道
导通电阻:67mΩ@4.1A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS86242
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€5W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:760pF@75V
连续漏极电流:4.1A
类型:N沟道
导通电阻:67mΩ@4.1A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD5N60NZTM
工作温度:-55℃~150℃
功率:83W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:600pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS86242
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€5W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:760pF@75V
连续漏极电流:4.1A
类型:N沟道
导通电阻:67mΩ@4.1A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTTFS012N10MDTAG
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.7W€62W
阈值电压:4V@78µA
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:965pF@50V
连续漏极电流:9.2A€45A
类型:N沟道
导通电阻:14.4mΩ@15A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTTFS012N10MDTAG
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.7W€62W
阈值电压:4V@78µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:965pF@50V
连续漏极电流:9.2A€45A
类型:N沟道
导通电阻:14.4mΩ@15A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS86242
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€5W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:760pF@75V
连续漏极电流:4.1A
类型:N沟道
导通电阻:67mΩ@4.1A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTTFS012N10MDTAG
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.7W€62W
阈值电压:4V@78µA
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:965pF@50V
连续漏极电流:9.2A€45A
类型:N沟道
导通电阻:14.4mΩ@15A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS86242
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€5W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:760pF@75V
连续漏极电流:4.1A
类型:N沟道
导通电阻:67mΩ@4.1A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMA7672
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.4W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:760pF@15V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:21mΩ@9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS86242
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€5W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:760pF@75V
连续漏极电流:4.1A
类型:N沟道
导通电阻:67mΩ@4.1A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS86242
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€5W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:760pF@75V
连续漏极电流:4.1A
类型:N沟道
导通电阻:67mΩ@4.1A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS86242
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€5W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:760pF@75V
连续漏极电流:4.1A
类型:N沟道
导通电阻:67mΩ@4.1A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS86242
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€5W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:760pF@75V
连续漏极电流:4.1A
类型:N沟道
导通电阻:67mΩ@4.1A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS86242
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€5W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:760pF@75V
连续漏极电流:4.1A
类型:N沟道
导通电阻:67mΩ@4.1A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTTFS012N10MDTAG
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.7W€62W
阈值电压:4V@78µA
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:965pF@50V
连续漏极电流:9.2A€45A
类型:N沟道
导通电阻:14.4mΩ@15A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTTFS012N10MDTAG
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.7W€62W
阈值电压:4V@78µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:965pF@50V
连续漏极电流:9.2A€45A
类型:N沟道
导通电阻:14.4mΩ@15A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTTFS012N10MDTAG
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.7W€62W
阈值电压:4V@78µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:965pF@50V
连续漏极电流:9.2A€45A
类型:N沟道
导通电阻:14.4mΩ@15A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMA7672
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.4W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:760pF@15V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:21mΩ@9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD5N60NZTM
工作温度:-55℃~150℃
功率:83W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:600pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":7971}
销售单位:个
规格型号(MPN):FQU3N50CTU
工作温度:-55℃~150℃
功率:35W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:管件
输入电容:365pF@25V
连续漏极电流:2.5A
类型:N沟道
导通电阻:2.5Ω@1.25A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":5000,"21+":5040,"MI+":5040}
销售单位:个
规格型号(MPN):FQU5N40TU
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€45W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:管件
输入电容:460pF@25V
连续漏极电流:3.4A
类型:N沟道
导通电阻:1.6Ω@1.7A,10V
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMA7672
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.4W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:760pF@15V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:21mΩ@9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMA7672
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.4W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:760pF@15V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:21mΩ@9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS86242
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€5W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:760pF@75V
连续漏极电流:4.1A
类型:N沟道
导通电阻:67mΩ@4.1A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDFS6N548
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:700pF@15V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:23mΩ@7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: