采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB3682
工作温度：-55℃~175℃
功率：95W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1250pF@25V
连续漏极电流：6A€32A
类型：N沟道
导通电阻：36mΩ@32A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS7680
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€33W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1850pF@15V
连续漏极电流：14A€28A
类型：N沟道
导通电阻：6.9mΩ@14A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB3682
工作温度：-55℃~175℃
功率：95W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1250pF@25V
连续漏极电流：6A€32A
类型：N沟道
导通电阻：36mΩ@32A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP3682
工作温度：-55℃~175℃
功率：95W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1250pF@25V
连续漏极电流：6A€32A
类型：N沟道
导通电阻：36mΩ@32A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB3682
工作温度：-55℃~175℃
功率：95W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1250pF@25V
连续漏极电流：6A€32A
类型：N沟道
导通电阻：36mΩ@32A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD3682
工作温度：-55℃~175℃
功率：95W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1250pF@25V
连续漏极电流：5.5A€32A
类型：N沟道
导通电阻：36mΩ@32A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP3682
工作温度：-55℃~175℃
功率：95W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1250pF@25V
连续漏极电流：6A€32A
类型：N沟道
导通电阻：36mΩ@32A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：63000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC7582
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€52W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1795pF@13V
连续漏极电流：16.7A€49A
类型：N沟道
导通电阻：5mΩ@16.7A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS7680
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€33W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1850pF@15V
连续漏极电流：14A€28A
类型：N沟道
导通电阻：6.9mΩ@14A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS7680
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€33W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1850pF@15V
连续漏极电流：14A€28A
类型：N沟道
导通电阻：6.9mΩ@14A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"10+"：9876，"11+"：4050，"12+"：4300，"14+"：28950，"15+"：1200，"16+"：118654，"17+"：29416，"9999"：299，"MI+"：10850}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDF05N50ZG
工作温度：-55℃~150℃
功率：30W
阈值电压：4.5V@50µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：管件
输入电容：632pF@25V
连续漏极电流：5.5A
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@2.2A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB3682
工作温度：-55℃~175℃
功率：95W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1250pF@25V
连续漏极电流：6A€32A
类型：N沟道
导通电阻：36mΩ@32A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD3682
工作温度：-55℃~175℃
功率：95W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1250pF@25V
连续漏极电流：5.5A€32A
类型：N沟道
导通电阻：36mΩ@32A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS7680
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€33W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1850pF@15V
连续漏极电流：14A€28A
类型：N沟道
导通电阻：6.9mΩ@14A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD3682
工作温度：-55℃~175℃
功率：95W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1250pF@25V
连续漏极电流：5.5A€32A
类型：N沟道
导通电阻：36mΩ@32A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB3682
工作温度：-55℃~175℃
功率：95W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1250pF@25V
连续漏极电流：6A€32A
类型：N沟道
导通电阻：36mΩ@32A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP3682
工作温度：-55℃~175℃
功率：95W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1250pF@25V
连续漏极电流：6A€32A
类型：N沟道
导通电阻：36mΩ@32A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS7680
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€33W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1850pF@15V
连续漏极电流：14A€28A
类型：N沟道
导通电阻：6.9mΩ@14A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP3682
工作温度：-55℃~175℃
功率：95W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1250pF@25V
连续漏极电流：6A€32A
类型：N沟道
导通电阻：36mΩ@32A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"10+"：36000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFS4939NTAG
工作温度：-55℃~150℃
功率：850mW€29.8W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1979pF@15V
连续漏极电流：8.9A€52A
类型：N沟道
导通电阻：5.5mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD3682
工作温度：-55℃~175℃
功率：95W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1250pF@25V
连续漏极电流：5.5A€32A
类型：N沟道
导通电阻：36mΩ@32A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB3682
工作温度：-55℃~175℃
功率：95W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1250pF@25V
连续漏极电流：6A€32A
类型：N沟道
导通电阻：36mΩ@32A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDF05N50ZG
工作温度：-55℃~150℃
功率：30W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：管件
输入电容：632pF@25V
连续漏极电流：5.5A
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@2.2A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS7680
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€33W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1850pF@15V
连续漏极电流：14A€28A
类型：N沟道
导通电阻：6.9mΩ@14A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFS4939NTAG
工作温度：-55℃~150℃
功率：850mW€29.8W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1979pF@15V
连续漏极电流：8.9A€52A
类型：N沟道
导通电阻：5.5mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDF05N50ZH
工作温度：-55℃~150℃
功率：30W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：管件
输入电容：632pF@25V
连续漏极电流：5.5A
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@2.2A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD3682
工作温度：-55℃~175℃
功率：95W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1250pF@25V
连续漏极电流：5.5A€32A
类型：N沟道
导通电阻：36mΩ@32A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"12+"：284034，"13+"：261755，"18+"：500，"9999"：215}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDF05N50ZH
工作温度：-55℃~150℃
功率：30W
阈值电压：4.5V@50µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：管件
输入电容：632pF@25V
连续漏极电流：5.5A
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@2.2A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB3682
工作温度：-55℃~175℃
功率：95W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1250pF@25V
连续漏极电流：6A€32A
类型：N沟道
导通电阻：36mΩ@32A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"10+"：9876，"11+"：4050，"12+"：4300，"14+"：28950，"15+"：1200，"16+"：118654，"17+"：29416，"9999"：299，"MI+"：10850}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDF05N50ZG
工作温度：-55℃~150℃
功率：30W
阈值电压：4.5V@50µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：管件
输入电容：632pF@25V
连续漏极电流：5.5A
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@2.2A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
