采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86150ET100
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.3W€187W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4065pF@50V
连续漏极电流：16A€128A
类型：N沟道
导通电阻：4.85mΩ@16A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86150ET100
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.3W€187W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4065pF@50V
连续漏极电流：16A€128A
类型：N沟道
导通电阻：4.85mΩ@16A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTB110N65S3HF
工作温度：-55℃~150℃
功率：240W
阈值电压：5V@740µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2635pF@400V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@15A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86150ET100
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.3W€187W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4065pF@50V
连续漏极电流：16A€128A
类型：N沟道
导通电阻：4.85mΩ@16A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCPF260N60E
工作温度：-55℃~150℃
功率：36W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2500pF@25V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：260mΩ@7.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTB110N65S3HF
工作温度：-55℃~150℃
功率：240W
阈值电压：5V@740µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2635pF@400V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@15A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCPF260N60E
工作温度：-55℃~150℃
功率：36W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2500pF@25V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：260mΩ@7.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C612NWFT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€167W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4900pF@25V
连续漏极电流：34A€225A
类型：N沟道
导通电阻：1.65mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86150ET100
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.3W€187W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4065pF@50V
连续漏极电流：16A€128A
类型：N沟道
导通电阻：4.85mΩ@16A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：2604，"22+"：4050，"23+"：537}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMT110N65S3HF
工作温度：-55℃~150℃
功率：240W
阈值电压：5V@740µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2635pF@400V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@15A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC8554
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€41W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3380pF@10V
连续漏极电流：16.5A
类型：N沟道
导通电阻：5mΩ@16.5A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：5230，"23+"：3163}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86150ET100
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.3W€187W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4065pF@50V
连续漏极电流：16A€128A
类型：N沟道
导通电阻：4.85mΩ@16A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：2604，"22+"：4050，"23+"：537}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMT110N65S3HF
工作温度：-55℃~150℃
功率：240W
阈值电压：5V@740µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2635pF@400V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@15A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：12000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMT110N65S3HF
工作温度：-55℃~150℃
功率：240W
阈值电压：5V@740µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2635pF@400V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@15A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86150ET100
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.3W€187W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4065pF@50V
连续漏极电流：16A€128A
类型：N沟道
导通电阻：4.85mΩ@16A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTB110N65S3HF
工作温度：-55℃~150℃
功率：240W
阈值电压：5V@740µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2635pF@400V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@15A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCPF260N60E
工作温度：-55℃~150℃
功率：36W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2500pF@25V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：260mΩ@7.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQB44N10TM
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.75W€146W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1800pF@25V
连续漏极电流：43.5A
类型：N沟道
导通电阻：39mΩ@21.75A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：5230，"23+"：3163}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86150ET100
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.3W€187W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4065pF@50V
连续漏极电流：16A€128A
类型：N沟道
导通电阻：4.85mΩ@16A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMT110N65S3HF
工作温度：-55℃~150℃
功率：240W
阈值电压：5V@740µA
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2635pF@400V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@15A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMT110N65S3HF
工作温度：-55℃~150℃
功率：240W
阈值电压：5V@740µA
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2635pF@400V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@15A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQB44N10TM
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.75W€146W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1800pF@25V
连续漏极电流：43.5A
类型：N沟道
导通电阻：39mΩ@21.75A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTPF110N65S3HF
工作温度：-55℃~150℃
功率：240W
阈值电压：5V@740µA
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2635pF@400V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@15A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C612NWFT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€167W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4900pF@25V
连续漏极电流：34A€225A
类型：N沟道
导通电阻：1.65mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQB44N10TM
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.75W€146W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1800pF@25V
连续漏极电流：43.5A
类型：N沟道
导通电阻：39mΩ@21.75A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：12000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMT110N65S3HF
工作温度：-55℃~150℃
功率：240W
阈值电压：5V@740µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2635pF@400V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@15A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC8554
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€41W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3380pF@10V
连续漏极电流：16.5A
类型：N沟道
导通电阻：5mΩ@16.5A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：2742}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCP260N60E
工作温度：-55℃~150℃
功率：156W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2500pF@25V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：260mΩ@7.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86150ET100
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.3W€187W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4065pF@50V
连续漏极电流：16A€128A
类型：N沟道
导通电阻：4.85mΩ@16A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86150ET100
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.3W€187W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4065pF@50V
连续漏极电流：16A€128A
类型：N沟道
导通电阻：4.85mΩ@16A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
