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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS5H414NLT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€110W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：75nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4550pF@20V
连续漏极电流：35A€210A
类型：N沟道
导通电阻：1.4mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS5H414NLT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€110W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：75nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4550pF@20V
连续漏极电流：35A€210A
类型：N沟道
导通电阻：1.4mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
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分类：Mosfet场效应管
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规格型号(MPN)：NTMFS5H414NLT1G
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类型：N沟道
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漏源电压：40V
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：1500，"21+"：67500，"22+"：1500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS5H414NLT1G
工作温度：-55℃~150℃
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阈值电压：2V@250µA
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输入电容：4550pF@20V
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类型：N沟道
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生产批次：{"19+"：1500，"21+"：67500，"22+"：1500}
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规格型号(MPN)：NTMFS5H414NLT1G
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阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：4550pF@20V
连续漏极电流：35A€210A
类型：N沟道
导通电阻：1.4mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
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规格型号(MPN)：NTMFS5H414NLT1G
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类型：N沟道
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漏源电压：40V
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输入电容：4550pF@20V
连续漏极电流：35A€210A
类型：N沟道
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漏源电压：40V
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工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€110W
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输入电容：4550pF@20V
连续漏极电流：35A€210A
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包装方式：卷带（TR）
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类型：N沟道
导通电阻：1.4mΩ@20A，10V
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行业应用：工业,汽车
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工作温度：-55℃~150℃
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栅极电荷：75nC@10V
包装方式：卷带（TR）
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类型：N沟道
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