采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC007N08LC
工作温度：-55℃~150℃
功率：57W
阈值电压：2.5V@120µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2940pF@40V
连续漏极电流：66A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@21A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86320
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€69W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2640pF@40V
连续漏极电流：10.5A€22A
类型：N沟道
导通电阻：11.7mΩ@10.5A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS3572
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1990pF@25V
连续漏极电流：8.9A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@8.9A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS86140
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€5W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2580pF@50V
连续漏极电流：11.2A
类型：N沟道
导通电阻：9.8mΩ@11.2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：2500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS8672S
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2670pF@15V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：4.8mΩ@18A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86320
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€69W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2640pF@40V
连续漏极电流：10.5A€22A
类型：N沟道
导通电阻：11.7mΩ@10.5A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS3572
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1990pF@25V
连续漏极电流：8.9A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@8.9A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC007N08LC
工作温度：-55℃~150℃
功率：57W
阈值电压：2.5V@120µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2940pF@40V
连续漏极电流：66A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@21A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB15N50
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1850pF@25V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@7.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS4480
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.5W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1686pF@20V
连续漏极电流：10.8A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@10.8A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC007N08LC
工作温度：-55℃~150℃
功率：57W
阈值电压：2.5V@120µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2940pF@40V
连续漏极电流：66A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@21A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：20，"18+"：20，"21+"：1027，"22+"：3204，"23+"：11315，"24+"：15000，"MI+"：5915}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC007N08LC
工作温度：-55℃~150℃
功率：57W
阈值电压：2.5V@120µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2940pF@40V
连续漏极电流：66A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@21A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC007N08LC
工作温度：-55℃~150℃
功率：57W
阈值电压：2.5V@120µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2940pF@40V
连续漏极电流：66A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@21A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC007N08LC
工作温度：-55℃~150℃
功率：57W
阈值电压：2.5V@120µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2940pF@40V
连续漏极电流：66A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@21A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB15N50
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1850pF@25V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@7.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS86140
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€5W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2580pF@50V
连续漏极电流：11.2A
类型：N沟道
导通电阻：9.8mΩ@11.2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC007N08LC
工作温度：-55℃~150℃
功率：57W
阈值电压：2.5V@120µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2940pF@40V
连续漏极电流：66A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@21A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS86140
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€5W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2580pF@50V
连续漏极电流：11.2A
类型：N沟道
导通电阻：9.8mΩ@11.2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS3572
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1990pF@25V
连续漏极电流：8.9A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@8.9A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS8672S
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@1mA
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2670pF@15V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：4.8mΩ@18A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS4480
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.5W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1686pF@20V
连续漏极电流：10.8A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@10.8A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS4480
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.5W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1686pF@20V
连续漏极电流：10.8A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@10.8A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS4480
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.5W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1686pF@20V
连续漏极电流：10.8A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@10.8A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS3572
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1990pF@25V
连续漏极电流：8.9A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@8.9A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS86140
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€5W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2580pF@50V
连续漏极电流：11.2A
类型：N沟道
导通电阻：9.8mΩ@11.2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS3572
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1990pF@25V
连续漏极电流：8.9A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@8.9A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS86140
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€5W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2580pF@50V
连续漏极电流：11.2A
类型：N沟道
导通电阻：9.8mΩ@11.2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS4480
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.5W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1686pF@20V
连续漏极电流：10.8A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@10.8A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB15N50
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1850pF@25V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@7.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC007N08LC
工作温度：-55℃~150℃
功率：57W
阈值电压：2.5V@120µA
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2940pF@40V
连续漏极电流：66A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@21A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
