品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB390N15A
工作温度:-55℃~175℃
功率:75W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1285pF@75V
连续漏极电流:27A
类型:N沟道
导通电阻:39mΩ@27A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS4C10NBT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.51W€23.6W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:987pF@15V
连续漏极电流:16.4A€46A
类型:N沟道
导通电阻:6.95mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTTFS4C10NTWG
工作温度:-55℃~150℃
功率:790mW€23.6W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:18.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:993pF@15V
连续漏极电流:8.2A€44A
类型:N沟道
导通电阻:7.4mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"14+":668206}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS4C10NT1G-001
工作温度:-55℃~150℃
功率:750mW
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:987pF@15V
连续漏极电流:8.2A€46A
类型:N沟道
导通电阻:6.95mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":191600,"MI+":136500}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS4C10NBT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.51W€23.6W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:987pF@15V
连续漏极电流:16.4A€46A
类型:N沟道
导通电阻:6.95mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS4C029NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.49W€23.6W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:987pF@15V
连续漏极电流:15A€46A
类型:N沟道
导通电阻:5.88mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":191600,"MI+":136500}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS4C10NBT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.51W€23.6W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:987pF@15V
连续漏极电流:16.4A€46A
类型:N沟道
导通电阻:6.95mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB390N15A
工作温度:-55℃~175℃
功率:75W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1285pF@75V
连续漏极电流:27A
类型:N沟道
导通电阻:39mΩ@27A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS4C029NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.49W€23.6W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:987pF@15V
连续漏极电流:15A€46A
类型:N沟道
导通电阻:5.88mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB390N15A
工作温度:-55℃~175℃
功率:75W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1285pF@75V
连续漏极电流:27A
类型:N沟道
导通电阻:39mΩ@27A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTTFS4C10NTAG
工作温度:-55℃~150℃
功率:790mW€23.6W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:18.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:993pF@15V
连续漏极电流:8.2A€44A
类型:N沟道
导通电阻:7.4mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":1250,"21+":45000}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS4C029NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.49W€23.6W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:987pF@15V
连续漏极电流:15A€46A
类型:N沟道
导通电阻:5.88mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS4C029NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.49W€23.6W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:18.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:987pF@15V
连续漏极电流:15A€46A
类型:N沟道
导通电阻:5.88mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS4C029NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.49W€23.6W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:18.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:987pF@15V
连续漏极电流:15A€46A
类型:N沟道
导通电阻:5.88mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTTFS4C10NTWG
工作温度:-55℃~150℃
功率:790mW€23.6W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:18.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:993pF@15V
连续漏极电流:8.2A€44A
类型:N沟道
导通电阻:7.4mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":739500,"23+":112500}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS4C029NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.49W€23.6W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:987pF@15V
连续漏极电流:15A€46A
类型:N沟道
导通电阻:5.88mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":11250,"MI+":1500}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS4C10NBT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.51W€23.6W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:987pF@15V
连续漏极电流:16.4A€46A
类型:N沟道
导通电阻:6.95mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":191600,"MI+":136500}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS4C10NBT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.51W€23.6W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:987pF@15V
连续漏极电流:16.4A€46A
类型:N沟道
导通电阻:6.95mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB390N15A
工作温度:-55℃~175℃
功率:75W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1285pF@75V
连续漏极电流:27A
类型:N沟道
导通电阻:39mΩ@27A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS4C10NBT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.51W€23.6W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:987pF@15V
连续漏极电流:16.4A€46A
类型:N沟道
导通电阻:6.95mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTTFS4C10NTAG
工作温度:-55℃~150℃
功率:790mW€23.6W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:18.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:993pF@15V
连续漏极电流:8.2A€44A
类型:N沟道
导通电阻:7.4mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB390N15A
工作温度:-55℃~175℃
功率:75W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1285pF@75V
连续漏极电流:27A
类型:N沟道
导通电阻:39mΩ@27A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"14+":668206}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS4C10NT1G-001
工作温度:-55℃~150℃
功率:750mW
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:987pF@15V
连续漏极电流:8.2A€46A
类型:N沟道
导通电阻:6.95mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS4C029NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.49W€23.6W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:18.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:987pF@15V
连续漏极电流:15A€46A
类型:N沟道
导通电阻:5.88mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTTFS4C10NTAG
工作温度:-55℃~150℃
功率:790mW€23.6W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:993pF@15V
连续漏极电流:8.2A€44A
类型:N沟道
导通电阻:7.4mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":6400}
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB390N15A
工作温度:-55℃~175℃
功率:75W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1285pF@75V
连续漏极电流:27A
类型:N沟道
导通电阻:39mΩ@27A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTTFS4C10NTAG
工作温度:-55℃~150℃
功率:790mW€23.6W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:993pF@15V
连续漏极电流:8.2A€44A
类型:N沟道
导通电阻:7.4mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":43127,"MI+":48}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTTFS4C10NTAG
工作温度:-55℃~150℃
功率:790mW€23.6W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:993pF@15V
连续漏极电流:8.2A€44A
类型:N沟道
导通电阻:7.4mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTTFS4C10NTAG
工作温度:-55℃~150℃
功率:790mW€23.6W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:993pF@15V
连续漏极电流:8.2A€44A
类型:N沟道
导通电阻:7.4mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTTFS4C10NTAG
工作温度:-55℃~150℃
功率:790mW€23.6W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:993pF@15V
连续漏极电流:8.2A€44A
类型:N沟道
导通电阻:7.4mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: