品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":780}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDI038AN06A0
工作温度:-55℃~175℃
功率:310W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:124nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6400pF@25V
连续漏极电流:17A€80A
类型:N沟道
导通电阻:3.8mΩ@80A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
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品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP038AN06A0-F102
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品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):FDP038AN06A0-F102
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品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDI038AN06A0
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功率:310W
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品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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功率:310W
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品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":751}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP038AN06A0-F102
工作温度:-55℃~175℃
功率:310W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:124nC@10V
包装方式:管件
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连续漏极电流:80A
类型:N沟道
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":780}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDI038AN06A0
工作温度:-55℃~175℃
功率:310W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:124nC@10V
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连续漏极电流:17A€80A
类型:N沟道
导通电阻:3.8mΩ@80A,10V
漏源电压:60V
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库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":780}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDI038AN06A0
工作温度:-55℃~175℃
功率:310W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:124nC@10V
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连续漏极电流:17A€80A
类型:N沟道
导通电阻:3.8mΩ@80A,10V
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品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP038AN06A0-F102
工作温度:-55℃~175℃
功率:310W
阈值电压:4V@250µA
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库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDI038AN06A0
工作温度:-55℃~175℃
功率:310W
阈值电压:4V@250µA
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包装方式:管件
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类型:N沟道
导通电阻:3.8mΩ@80A,10V
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库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP038AN06A0-F102
工作温度:-55℃~175℃
功率:310W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:124nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6400pF@25V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:3.8mΩ@80A,10V
漏源电压:60V
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库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":780}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDI038AN06A0
工作温度:-55℃~175℃
功率:310W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:124nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6400pF@25V
连续漏极电流:17A€80A
类型:N沟道
导通电阻:3.8mΩ@80A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":751}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP038AN06A0-F102
工作温度:-55℃~175℃
功率:310W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:124nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6400pF@25V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:3.8mΩ@80A,10V
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库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDI038AN06A0
工作温度:-55℃~175℃
功率:310W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:124nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6400pF@25V
连续漏极电流:17A€80A
类型:N沟道
导通电阻:3.8mΩ@80A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDBL86062-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:429W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:124nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6970pF@50V
连续漏极电流:300A
类型:N沟道
导通电阻:2mΩ@80A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存: