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    品牌: ON SEMI
    类型: N沟道
    栅极电荷: 14nC@10V
    包装方式: 卷带(TR)
    当前匹配商品:30+
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    onsemi Mosfet场效应管 NVD5C478NT4G 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVD5C478NT4G 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVD5C478NT4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W€30W

    阈值电压:4V@30µA

    栅极电荷:14nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:840pF@25V

    连续漏极电流:14A€43A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.4mΩ@15A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVD5C478NT4G 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVD5C478NT4G 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVD5C478NT4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W€30W

    阈值电压:4V@30µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:840pF@25V

    连续漏极电流:14A€43A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.4mΩ@15A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVD5C478NT4G 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVD5C478NT4G 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVD5C478NT4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W€30W

    阈值电压:4V@30µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:840pF@25V

    连续漏极电流:14A€43A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.4mΩ@15A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVD5C478NT4G 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVD5C478NT4G 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVD5C478NT4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W€30W

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    栅极电荷:14nC@10V

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    连续漏极电流:14A€43A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.4mΩ@15A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVD5C478NT4G 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVD5C478NT4G 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVD5C478NT4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W€30W

    阈值电压:4V@30µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:840pF@25V

    连续漏极电流:14A€43A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.4mΩ@15A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC8884 起订1106个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC8884 起订1106个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"18+":18916,"MI+":6000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC8884

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.3W€18W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:685pF@15V

    连续漏极电流:9A€15A

    类型:N沟道

    导通电阻:19mΩ@9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCD2250N80Z 起订3个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCD2250N80Z 起订3个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCD2250N80Z

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:39W

    阈值电压:4.5V@260µA

    栅极电荷:14nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:585pF@100V

    连续漏极电流:2.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.25Ω@1.3A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCD2250N80Z 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCD2250N80Z 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCD2250N80Z

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:39W

    阈值电压:4.5V@260µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:585pF@100V

    连续漏极电流:2.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.25Ω@1.3A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCD2250N80Z 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCD2250N80Z 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCD2250N80Z

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:39W

    阈值电压:4.5V@260µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:585pF@100V

    连续漏极电流:2.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.25Ω@1.3A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTF3055-160T1 起订3562个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTF3055-160T1 起订3562个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"03+":8561}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTF3055-160T1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.3W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:280pF@25V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:160mΩ@1A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCD2250N80Z 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCD2250N80Z 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCD2250N80Z

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:39W

    阈值电压:4.5V@260µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:585pF@100V

    连续漏极电流:2.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.25Ω@1.3A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCD2250N80Z 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCD2250N80Z 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCD2250N80Z

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:39W

    阈值电压:4.5V@260µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:585pF@100V

    连续漏极电流:2.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.25Ω@1.3A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCD2250N80Z 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCD2250N80Z 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCD2250N80Z

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:39W

    阈值电压:4.5V@260µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:585pF@100V

    连续漏极电流:2.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.25Ω@1.3A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCD2250N80Z 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCD2250N80Z 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCD2250N80Z

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:39W

    阈值电压:4.5V@260µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:585pF@100V

    连续漏极电流:2.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.25Ω@1.3A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCD2250N80Z 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCD2250N80Z 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCD2250N80Z

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:39W

    阈值电压:4.5V@260µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:585pF@100V

    连续漏极电流:2.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.25Ω@1.3A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVD5C478NT4G 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVD5C478NT4G 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVD5C478NT4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W€30W

    阈值电压:4V@30µA

    栅极电荷:14nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:840pF@25V

    连续漏极电流:14A€43A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.4mΩ@15A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC8884 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC8884 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"18+":18916,"MI+":6000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC8884

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.3W€18W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:685pF@15V

    连续漏极电流:9A€15A

    类型:N沟道

    导通电阻:19mΩ@9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTF3055-160T1 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTF3055-160T1 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"03+":8561}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTF3055-160T1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.3W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:280pF@25V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:160mΩ@1A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVD5C478NT4G 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVD5C478NT4G 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVD5C478NT4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W€30W

    阈值电压:4V@30µA

    栅极电荷:14nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:840pF@25V

    连续漏极电流:14A€43A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.4mΩ@15A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCD2250N80Z 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCD2250N80Z 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCD2250N80Z

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:39W

    阈值电压:4.5V@260µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:585pF@100V

    连续漏极电流:2.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.25Ω@1.3A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQD3N60CTM-WS 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQD3N60CTM-WS 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD3N60CTM-WS

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:50W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:14nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:565pF@25V

    连续漏极电流:2.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.4Ω@1.2A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTF3055-160T1 起订3562个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTF3055-160T1 起订3562个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTF3055-160T1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.3W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:14nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:280pF@25V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:160mΩ@1A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCD2250N80Z 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCD2250N80Z 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCD2250N80Z

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:39W

    阈值电压:4.5V@260µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:585pF@100V

    连续漏极电流:2.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.25Ω@1.3A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVD5C478NT4G 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVD5C478NT4G 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVD5C478NT4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W€30W

    阈值电压:4V@30µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:840pF@25V

    连续漏极电流:14A€43A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.4mΩ@15A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCD2250N80Z 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCD2250N80Z 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCD2250N80Z

    输入电容:585pF@100V

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    连续漏极电流:2.6A

    阈值电压:4.5V@260µA

    栅极电荷:14nC@10V

    类型:N沟道

    导通电阻:2.25Ω@1.3A,10V

    功率:39W

    漏源电压:800V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCD2250N80Z 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCD2250N80Z 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCD2250N80Z

    输入电容:585pF@100V

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    连续漏极电流:2.6A

    阈值电压:4.5V@260µA

    栅极电荷:14nC@10V

    类型:N沟道

    导通电阻:2.25Ω@1.3A,10V

    功率:39W

    漏源电压:800V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVD5C478NT4G 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVD5C478NT4G 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVD5C478NT4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W€30W

    阈值电压:4V@30µA

    栅极电荷:14nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:840pF@25V

    连续漏极电流:14A€43A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.4mΩ@15A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC8884 起订1106个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC8884 起订1106个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC8884

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.3W€18W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:14nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:685pF@15V

    连续漏极电流:9A€15A

    类型:N沟道

    导通电阻:19mΩ@9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVD5C478NT4G 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVD5C478NT4G 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVD5C478NT4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W€30W

    阈值电压:4V@30µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:840pF@25V

    连续漏极电流:14A€43A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.4mΩ@15A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCD2250N80Z 起订2500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCD2250N80Z 起订2500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCD2250N80Z

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:39W

    阈值电压:4.5V@260µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:585pF@100V

    连续漏极电流:2.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.25Ω@1.3A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

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