采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4C59NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：760mW
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：22.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1252pF@15V
连续漏极电流：9A€52A
类型：N沟道
导通电阻：5.8mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4C59NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：760mW
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：22.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1252pF@15V
连续漏极电流：9A€52A
类型：N沟道
导通电阻：5.8mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4C028NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.51W€25.5W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1252pF@15V
连续漏极电流：16.4A€52A
类型：N沟道
导通电阻：4.73mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4C59NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：760mW
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：22.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1252pF@15V
连续漏极电流：9A€52A
类型：N沟道
导通电阻：5.8mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4C59NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：760mW
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：22.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1252pF@15V
连续漏极电流：9A€52A
类型：N沟道
导通电阻：5.8mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4C028NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.51W€25.5W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1252pF@15V
连续漏极电流：16.4A€52A
类型：N沟道
导通电阻：4.73mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4C59NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：760mW
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：22.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1252pF@15V
连续漏极电流：9A€52A
类型：N沟道
导通电阻：5.8mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4C028NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.51W€25.5W
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：22.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1252pF@15V
连续漏极电流：16.4A€52A
类型：N沟道
导通电阻：4.73mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：3000，"21+"：123000，"22+"：1500，"MI+"：1000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4C028NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.51W€25.5W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1252pF@15V
连续漏极电流：16.4A€52A
类型：N沟道
导通电阻：4.73mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4C028NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.51W€25.5W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1252pF@15V
连续漏极电流：16.4A€52A
类型：N沟道
导通电阻：4.73mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4C59NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：760mW
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：22.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1252pF@15V
连续漏极电流：9A€52A
类型：N沟道
导通电阻：5.8mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：10500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4C59NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：760mW
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1252pF@15V
连续漏极电流：9A€52A
类型：N沟道
导通电阻：5.8mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4C028NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.51W€25.5W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1252pF@15V
连续漏极电流：16.4A€52A
类型：N沟道
导通电阻：4.73mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4C028NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.51W€25.5W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1252pF@15V
连续漏极电流：16.4A€52A
类型：N沟道
导通电阻：4.73mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4C028NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.51W€25.5W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1252pF@15V
连续漏极电流：16.4A€52A
类型：N沟道
导通电阻：4.73mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4C59NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：760mW
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：22.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1252pF@15V
连续漏极电流：9A€52A
类型：N沟道
导通电阻：5.8mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4C59NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：760mW
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：22.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1252pF@15V
连续漏极电流：9A€52A
类型：N沟道
导通电阻：5.8mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4C59NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：760mW
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：22.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1252pF@15V
连续漏极电流：9A€52A
类型：N沟道
导通电阻：5.8mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4C028NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.51W€25.5W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1252pF@15V
连续漏极电流：16.4A€52A
类型：N沟道
导通电阻：4.73mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4C028NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.51W€25.5W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1252pF@15V
连续漏极电流：16.4A€52A
类型：N沟道
导通电阻：4.73mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：3000，"21+"：123000，"22+"：1500，"MI+"：1000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4C028NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.51W€25.5W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1252pF@15V
连续漏极电流：16.4A€52A
类型：N沟道
导通电阻：4.73mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4C59NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：760mW
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：22.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1252pF@15V
连续漏极电流：9A€52A
类型：N沟道
导通电阻：5.8mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4C59NT1G
输入电容：1252pF@15V
连续漏极电流：9A€52A
功率：760mW
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
栅极电荷：22.2nC@10V
阈值电压：2.1V@250µA
导通电阻：5.8mΩ@30A，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4C028NT1G
输入电容：1252pF@15V
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：4.73mΩ@30A，10V
类型：N沟道
栅极电荷：22.2nC@10V
连续漏极电流：16.4A€52A
阈值电压：2.1V@250µA
功率：2.51W€25.5W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4C028NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.51W€25.5W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1252pF@15V
连续漏极电流：16.4A€52A
类型：N沟道
导通电阻：4.73mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4C59NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：760mW
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：22.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1252pF@15V
连续漏极电流：9A€52A
类型：N沟道
导通电阻：5.8mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4C59NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：760mW
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：22.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1252pF@15V
连续漏极电流：9A€52A
类型：N沟道
导通电阻：5.8mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4C59NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：760mW
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：22.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1252pF@15V
连续漏极电流：9A€52A
类型：N沟道
导通电阻：5.8mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4C028NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.51W€25.5W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1252pF@15V
连续漏极电流：16.4A€52A
类型：N沟道
导通电阻：4.73mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
