品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB86566-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:176W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6655pF@30V
连续漏极电流:110A
类型:N沟道
导通电阻:2.7mΩ@80A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB86566-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:176W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6655pF@30V
连续漏极电流:110A
类型:N沟道
导通电阻:2.7mΩ@80A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB3632
工作温度:-55℃~175℃
功率:310W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6000pF@25V
连续漏极电流:12A€80A
类型:N沟道
导通电阻:9mΩ@80A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":388}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB3632-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:310W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6000pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:9mΩ@80A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB3632
工作温度:-55℃~175℃
功率:310W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6000pF@25V
连续漏极电流:12A€80A
类型:N沟道
导通电阻:9mΩ@80A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTBS2D7N06M7
工作温度:-55℃~175℃
功率:176W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6655pF@30V
连续漏极电流:110A
类型:N沟道
导通电阻:2.7mΩ@80A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQA46N15
工作温度:-55℃~175℃
功率:250W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3250pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:42mΩ@25A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQA70N10
工作温度:-55℃~175℃
功率:214W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3300pF@25V
连续漏极电流:70A
类型:N沟道
导通电阻:23mΩ@35A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":2000,"22+":10673}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDBL86566-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6655pF@30V
连续漏极电流:240A
类型:N沟道
导通电阻:2.4mΩ@80A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTBS2D7N06M7
工作温度:-55℃~175℃
功率:176W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6655pF@30V
连续漏极电流:110A
类型:N沟道
导通电阻:2.7mΩ@80A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTBS2D7N06M7
工作温度:-55℃~175℃
功率:176W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6655pF@30V
连续漏极电流:110A
类型:N沟道
导通电阻:2.7mΩ@80A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB3632
工作温度:-55℃~175℃
功率:310W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6000pF@25V
连续漏极电流:12A€80A
类型:N沟道
导通电阻:9mΩ@80A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":1057,"22+":243}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTBS2D7N06M7
工作温度:-55℃~175℃
功率:176W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6655pF@30V
连续漏极电流:110A
类型:N沟道
导通电阻:2.7mΩ@80A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB3632
工作温度:-55℃~175℃
功率:310W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6000pF@25V
连续漏极电流:12A€80A
类型:N沟道
导通电阻:9mΩ@80A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":450,"22+":460,"MI+":450}
销售单位:个
规格型号(MPN):FQA90N08
工作温度:-55℃~175℃
功率:214W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3250pF@25V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:16mΩ@45A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDBL86566-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6655pF@30V
连续漏极电流:240A
类型:N沟道
导通电阻:2.4mΩ@80A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTBS2D7N06M7
工作温度:-55℃~175℃
功率:176W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6655pF@30V
连续漏极电流:110A
类型:N沟道
导通电阻:2.7mΩ@80A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDBL86566-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6655pF@30V
连续漏极电流:240A
类型:N沟道
导通电阻:2.4mΩ@80A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB3632
工作温度:-55℃~175℃
功率:310W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6000pF@25V
连续漏极电流:12A€80A
类型:N沟道
导通电阻:9mΩ@80A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB3632
工作温度:-55℃~175℃
功率:310W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6000pF@25V
连续漏极电流:12A€80A
类型:N沟道
导通电阻:9mΩ@80A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDBL86566-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6655pF@30V
连续漏极电流:240A
类型:N沟道
导通电阻:2.4mΩ@80A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDBL86566-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6655pF@30V
连续漏极电流:240A
类型:N沟道
导通电阻:2.4mΩ@80A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB3632
工作温度:-55℃~175℃
功率:310W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6000pF@25V
连续漏极电流:12A€80A
类型:N沟道
导通电阻:9mΩ@80A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB86566-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:176W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6655pF@30V
连续漏极电流:110A
类型:N沟道
导通电阻:2.7mΩ@80A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQA46N15
工作温度:-55℃~175℃
功率:250W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3250pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:42mΩ@25A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDBL86566-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6655pF@30V
连续漏极电流:240A
类型:N沟道
导通电阻:2.4mΩ@80A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB3632-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:310W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6000pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:9mΩ@80A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDBL86566-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6655pF@30V
连续漏极电流:240A
类型:N沟道
导通电阻:2.4mΩ@80A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDBL86566-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6655pF@30V
连续漏极电流:240A
类型:N沟道
导通电阻:2.4mΩ@80A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQA46N15
工作温度:-55℃~175℃
功率:250W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3250pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:42mΩ@25A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存: