采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR3C21NZT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：470mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：17.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1540pF@16V
连续漏极电流：3.6A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS6H888NWFTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.9W€18W
阈值电压：4V@15µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：220pF@40V
连续漏极电流：4.7A€12A
类型：N沟道
导通电阻：55mΩ@5A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFS4C06NTAG
工作温度：-55℃~150℃
功率：810mW€31W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3366pF@15V
连续漏极电流：11A€67A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：{"21+"：323}
规格型号(MPN)：FDBL0240N100
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8755pF@50V
栅极电荷：111nC@10V
类型：N沟道
工作温度：-55℃~175℃
阈值电压：4V@250µA
连续漏极电流：210A
导通电阻：2.8mΩ@80A，10V
ECCN：EAR99
漏源电压：100V
功率：3.5W€300W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMA86251
栅极电荷：5.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：363pF@75V
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
功率：2.4W
漏源电压：150V
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
导通电阻：175mΩ@2.4A，10V
连续漏极电流：2.4A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：800psc
规格型号(MPN)：FCB260N65S3
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：260mΩ@6A，10V
类型：N沟道
连续漏极电流：12A
功率：90W
漏源电压：650V
输入电容：1010pF@400V
ECCN：EAR99
阈值电压：4.5V@1.2mA
栅极电荷：24nC@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD3055-094T4G
包装方式：卷带（TR）
输入电容：450pF@25V
类型：N沟道
连续漏极电流：12A
漏源电压：60V
导通电阻：94mΩ@6A，10V
工作温度：-55℃~175℃
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
功率：1.5W€48W
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：{"22+"：2400}
规格型号(MPN)：FQB10N50CFTM-WS
漏源电压：500V
功率：143W
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：10A
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
导通电阻：610mΩ@5A，10V
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
输入电容：2210pF@25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86310
阈值电压：4.5V@250µA
连续漏极电流：17A€50A
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：4.8mΩ@17A，10V
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
漏源电压：80V
功率：2.5W€96W
栅极电荷：95nC@10V
输入电容：6290pF@40V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR4503NT1G
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
连续漏极电流：1.5A
栅极电荷：7nC@10V
输入电容：250pF@24V
导通电阻：110mΩ@2.5A，10V
功率：420mW
阈值电压：3V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC8878
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
功率：2.1W€31W
栅极电荷：26nC@10V
连续漏极电流：9.6A€16.5A
导通电阻：14mΩ@9.6A，10V
输入电容：1230pF@15V
ECCN：EAR99
阈值电压：3V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：1639
规格型号(MPN)：MMBF170
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：500mA
输入电容：40pF@10V
类型：N沟道
阈值电压：3V@1mA
漏源电压：60V
导通电阻：5Ω@200mA，10V
功率：300mW
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVR4003NT3G
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：500mA
类型：N沟道
功率：690mW
阈值电压：1.4V@250µA
输入电容：21pF@5V
导通电阻：1.5Ω@10mA，4V
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.15nC@5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：{"11+"：87000，"14+"：5980}
规格型号(MPN)：ECH8419-TL-H
输入电容：960pF@20V
包装方式：卷带（TR）
工作温度：150℃
功率：1.5W
阈值电压：2.6V@1mA
类型：N沟道
栅极电荷：19nC@10V
漏源电压：35V
导通电阻：17mΩ@5A，10V
连续漏极电流：9A
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC645N
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
栅极电荷：21nC@4.5V
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
导通电阻：26mΩ@6.2A，10V
阈值电压：2V@250µA
输入电容：1460pF@15V
功率：1.6W
ECCN：EAR99
连续漏极电流：5.5A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMTSC1D5N08MC
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
漏源电压：80V
栅极电荷：140nC@10V
阈值电压：4V@650µA
功率：3.3W€250W
导通电阻：1.56mΩ@80A，10V
连续漏极电流：33A€287A
输入电容：10400pF@40V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86101DC
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：卷带（TR）
功率：3.2W€125W
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@14.5A，10V
阈值电压：4V@250µA
连续漏极电流：14.5A€60A
输入电容：3135pF@50V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDBL0150N80
栅极电荷：188nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12800pF@25V
功率：429W
连续漏极电流：300A
类型：N沟道
漏源电压：80V
工作温度：-55℃~175℃
阈值电压：4V@250µA
导通电阻：1.4mΩ@80A，10V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS0D7N03CGT1G
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
导通电阻：0.65mΩ@30A，10V
类型：N沟道
阈值电压：2.2V@280µA
栅极电荷：147nC@10V
输入电容：12300pF@15V
工作温度：-55℃~175℃
连续漏极电流：59A€409A
功率：4W€187W
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS5C612NLT1G-UIL5
栅极电荷：91nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6660pF@25V
类型：N沟道
漏源电压：60V
工作温度：-55℃~175℃
阈值电压：2V@250µA
连续漏极电流：36A€235A
导通电阻：1.5mΩ@50A，10V
ECCN：EAR99
功率：3.8W€167W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86540
连续漏极电流：20A€50A
输入电容：6435pF@30V
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
漏源电压：60V
功率：2.5W€96W
导通电阻：3.4mΩ@20A，10V
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：90nC@10V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC7696
功率：2.4W€25W
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
输入电容：1430pF@15V
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
导通电阻：11.5mΩ@12A，10V
栅极电荷：22nC@10V
连续漏极电流：12A€20A
阈值电压：3V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C430NWFAFT1G
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：1.7mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
输入电容：3300pF@25V
连续漏极电流：35A€185A
类型：N沟道
功率：3.8W€106W
阈值电压：3.5V@250µA
工作温度：-55℃~175℃
栅极电荷：47nC@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFS3D7N06HLTWG
输入电容：2383pF@30V
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
阈值电压：2V@120µA
ECCN：EAR99
连续漏极电流：16A€103A
漏源电压：60V
栅极电荷：32.7nC@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMS4840NR2G
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：24mΩ@6.9A，10V
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
输入电容：520pF@15V
功率：680mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：9.5nC@10V
连续漏极电流：4.5A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：800psc
规格型号(MPN)：HUF75545S3ST
包装方式：卷带（TR）
栅极电荷：235nC@20V
导通电阻：10mΩ@75A，10V
类型：N沟道
漏源电压：80V
连续漏极电流：75A
工作温度：-55℃~175℃
功率：270W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
输入电容：3750pF@25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN028N20
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@5.2A，4.5V
连续漏极电流：6.1A
输入电容：600pF@10V
阈值电压：1.5V@250µA
漏源电压：20V
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@4.5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS6H854NTAG
栅极电荷：13nC@10V
导通电阻：14.5mΩ@10A，10V
包装方式：卷带（TR）
类型：N沟道
漏源电压：80V
阈值电压：4V@45µA
工作温度：-55℃~175℃
输入电容：770pF@40V
连续漏极电流：9.5A€44A
功率：3.2W€68W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMS4706NR2G
导通电阻：12mΩ@10.3A，10V
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：2.5V@250µA
类型：N沟道
功率：830mW
栅极电荷：15nC@4.5V
连续漏极电流：6.4A
输入电容：950pF@24V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C628NT1G
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：28A€150A
类型：N沟道
漏源电压：60V
阈值电压：4V@135µA
工作温度：-55℃~175℃
输入电容：2630pF@30V
导通电阻：3mΩ@27A，10V
功率：3.7W€110W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
