采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC2610
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W€42W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：960pF@100V
连续漏极电流：2.2A€9.5A
类型：N沟道
导通电阻：200mΩ@2.2A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC2610
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W€42W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：960pF@100V
连续漏极电流：2.2A€9.5A
类型：N沟道
导通电阻：200mΩ@2.2A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS2672
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€78W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：42nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2315pF@100V
连续漏极电流：3.7A€20A
类型：N沟道
导通电阻：77mΩ@3.7A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS2672
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€78W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：42nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2315pF@100V
连续漏极电流：3.7A€20A
类型：N沟道
导通电阻：77mΩ@3.7A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC2610
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W€42W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：960pF@100V
连续漏极电流：2.2A€9.5A
类型：N沟道
导通电阻：200mΩ@2.2A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC2610
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W€42W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：960pF@100V
连续漏极电流：2.2A€9.5A
类型：N沟道
导通电阻：200mΩ@2.2A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS2672
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€78W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：42nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2315pF@100V
连续漏极电流：3.7A€20A
类型：N沟道
导通电阻：77mΩ@3.7A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQPF630
工作温度：-55℃~150℃
功率：38W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：管件
输入电容：550pF@25V
连续漏极电流：6.3A
类型：N沟道
导通电阻：400mΩ@3.15A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS2672
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€78W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：42nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2315pF@100V
连续漏极电流：3.7A€20A
类型：N沟道
导通电阻：77mΩ@3.7A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC2610
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W€42W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：960pF@100V
连续漏极电流：2.2A€9.5A
类型：N沟道
导通电阻：200mΩ@2.2A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC2610
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W€42W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：960pF@100V
连续漏极电流：2.2A€9.5A
类型：N沟道
导通电阻：200mΩ@2.2A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS2672
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€78W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：42nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2315pF@100V
连续漏极电流：3.7A€20A
类型：N沟道
导通电阻：77mΩ@3.7A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS2672
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€78W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：42nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2315pF@100V
连续漏极电流：3.7A€20A
类型：N沟道
导通电阻：77mΩ@3.7A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：4000}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQPF19N20C
工作温度：-55℃~150℃
功率：43W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：53nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1080pF@25V
连续漏极电流：19A
类型：N沟道
导通电阻：170mΩ@9.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQPF19N20C
工作温度：-55℃~150℃
功率：43W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：53nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1080pF@25V
连续漏极电流：19A
类型：N沟道
导通电阻：170mΩ@9.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQPF19N20C
工作温度：-55℃~150℃
功率：43W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：53nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1080pF@25V
连续漏极电流：19A
类型：N沟道
导通电阻：170mΩ@9.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC2610
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W€42W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：960pF@100V
连续漏极电流：2.2A€9.5A
类型：N沟道
导通电阻：200mΩ@2.2A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC2610
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W€42W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：960pF@100V
连续漏极电流：2.2A€9.5A
类型：N沟道
导通电阻：200mΩ@2.2A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQP19N20C
工作温度：-55℃~150℃
功率：139W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：53nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1080pF@25V
连续漏极电流：19A
类型：N沟道
导通电阻：170mΩ@9.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS2672
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€78W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：42nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2315pF@100V
连续漏极电流：3.7A€20A
类型：N沟道
导通电阻：77mΩ@3.7A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS2672
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€78W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：42nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2315pF@100V
连续漏极电流：3.7A€20A
类型：N沟道
导通电阻：77mΩ@3.7A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC2610
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W€42W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：960pF@100V
连续漏极电流：2.2A€9.5A
类型：N沟道
导通电阻：200mΩ@2.2A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS2672
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€78W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：42nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2315pF@100V
连续漏极电流：3.7A€20A
类型：N沟道
导通电阻：77mΩ@3.7A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"MI+"：5040}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFU220BTU-AM002
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€40W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：管件
输入电容：390pF@25V
连续漏极电流：4.6A
类型：N沟道
导通电阻：800mΩ@2.3A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQP19N20C
工作温度：-55℃~150℃
功率：139W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：53nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1080pF@25V
连续漏极电流：19A
类型：N沟道
导通电阻：170mΩ@9.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQP19N20C
工作温度：-55℃~150℃
功率：139W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：53nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1080pF@25V
连续漏极电流：19A
类型：N沟道
导通电阻：170mΩ@9.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQPF19N20C
工作温度：-55℃~150℃
功率：43W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：53nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1080pF@25V
连续漏极电流：19A
类型：N沟道
导通电阻：170mΩ@9.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS2672
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€78W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：42nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2315pF@100V
连续漏极电流：3.7A€20A
类型：N沟道
导通电阻：77mΩ@3.7A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS2672
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€78W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：42nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2315pF@100V
连续漏极电流：3.7A€20A
类型：N沟道
导通电阻：77mΩ@3.7A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC2610
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W€42W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：960pF@100V
连续漏极电流：2.2A€9.5A
类型：N沟道
导通电阻：200mΩ@2.2A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
