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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：1890}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTYS010N04CLTWG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€32W
阈值电压：2.2V@20µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：710pF@25V
连续漏极电流：13A€43A
类型：N沟道
导通电阻：9.5mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS5C471NLTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：30W
阈值电压：2.2V@20µA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：660pF@25V
连续漏极电流：41A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：NVTFS5C471NLTAG
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功率：30W
阈值电压：2.2V@20µA
栅极电荷：12nC@10V
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输入电容：660pF@25V
连续漏极电流：41A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
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分类：Mosfet场效应管
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输入电容：660pF@25V
连续漏极电流：41A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
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分类：Mosfet场效应管
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功率：30W
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连续漏极电流：41A
类型：N沟道
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类型：N沟道
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漏源电压：40V
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类型：N沟道
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漏源电压：40V
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功率：30W
阈值电压：2.2V@20µA
栅极电荷：12nC@10V
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输入电容：660pF@25V
连续漏极电流：41A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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功率：30W
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功率：30W
阈值电压：2.2V@20µA
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工作温度：-55℃~175℃
功率：30W
阈值电压：2.2V@20µA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：660pF@25V
连续漏极电流：41A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
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工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€32W
阈值电压：2.2V@20µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：710pF@25V
连续漏极电流：13A€43A
类型：N沟道
导通电阻：9.5mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
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工作温度：-55℃~175℃
功率：30W
阈值电压：2.2V@20µA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：660pF@25V
连续漏极电流：41A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
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行业应用：工业,汽车
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工作温度：-55℃~175℃
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阈值电压：2.2V@20µA
栅极电荷：12nC@10V
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输入电容：660pF@25V
连续漏极电流：41A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
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行业应用：工业,汽车
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工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€32W
阈值电压：2.2V@20µA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：710pF@25V
连续漏极电流：13A€43A
类型：N沟道
导通电阻：9.5mΩ@10A，10V
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