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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS5H419NLT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€89W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2900pF@20V
连续漏极电流：29A€155A
类型：N沟道
导通电阻：2.1mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS5H419NLT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€89W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2900pF@20V
连续漏极电流：29A€155A
类型：N沟道
导通电阻：2.1mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS5H419NLT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€89W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2900pF@20V
连续漏极电流：29A€155A
类型：N沟道
导通电阻：2.1mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS5H419NLT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€89W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2900pF@20V
连续漏极电流：29A€155A
类型：N沟道
导通电阻：2.1mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD5804NT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：71W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2850pF@25V
连续漏极电流：69A
类型：N沟道
导通电阻：8.5mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS5H419NLT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€89W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2900pF@20V
连续漏极电流：29A€155A
类型：N沟道
导通电阻：2.1mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"16+"：7883}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD5804NT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：71W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2850pF@25V
连续漏极电流：69A
类型：N沟道
导通电阻：8.5mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"16+"：7883}
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规格型号(MPN)：NTD5804NT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：71W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2850pF@25V
连续漏极电流：69A
类型：N沟道
导通电阻：8.5mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"16+"：7883}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD5804NT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：71W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2850pF@25V
连续漏极电流：69A
类型：N沟道
导通电阻：8.5mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS5H419NLT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€89W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2900pF@20V
连续漏极电流：29A€155A
类型：N沟道
导通电阻：2.1mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
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连续漏极电流：29A€155A
类型：N沟道
导通电阻：2.1mΩ@20A，10V
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阈值电压：2V@250µA
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栅极电荷：45nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2900pF@20V
连续漏极电流：29A€155A
类型：N沟道
导通电阻：2.1mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
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行业应用：工业,汽车
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工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€89W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2900pF@20V
连续漏极电流：29A€155A
类型：N沟道
导通电阻：2.1mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
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品牌：ON SEMI
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS5H419NLT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€89W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2900pF@20V
连续漏极电流：29A€155A
类型：N沟道
导通电阻：2.1mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS5H419NLT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€89W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2900pF@20V
连续漏极电流：29A€155A
类型：N沟道
导通电阻：2.1mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD5804NT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：71W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2850pF@25V
连续漏极电流：69A
类型：N沟道
导通电阻：8.5mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS5H419NLT1G
包装方式：卷带（TR）
栅极电荷：45nC@10V
工作温度：-55℃~150℃
漏源电压：40V
类型：N沟道
功率：3.1W€89W
阈值电压：2V@250µA
输入电容：2900pF@20V
连续漏极电流：29A€155A
ECCN：EAR99
导通电阻：2.1mΩ@20A，10V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：{"16+"：7883}
规格型号(MPN)：NTD5804NT4G
包装方式：卷带（TR）
栅极电荷：45nC@10V
漏源电压：40V
输入电容：2850pF@25V
类型：N沟道
导通电阻：8.5mΩ@30A，10V
功率：71W
阈值电压：3.5V@250µA
工作温度：-55℃~175℃
连续漏极电流：69A
ECCN：EAR99
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS5H419NLT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€89W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2900pF@20V
连续漏极电流：29A€155A
类型：N沟道
导通电阻：2.1mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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