采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBG080N120SC1
工作温度：-55℃~175℃
功率：179W
阈值电压：4.3V@5mA
栅极电荷：56nC@20V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1154pF@800V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@20A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBG040N120SC1
工作温度：-55℃~175℃
功率：357W
ECCN：EAR99
栅极电荷：106nC@20V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1789pF@800V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：56mΩ@35A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBG014N120M3P
工作温度：-55℃~175℃
功率：454W
阈值电压：4.63V@37mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：337nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6313pF@800V
连续漏极电流：104A
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@74A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBG014N120M3P
工作温度：-55℃~175℃
功率：454W
阈值电压：4.63V@37mA
栅极电荷：337nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6313pF@800V
连续漏极电流：104A
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@74A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBG020N120SC1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.7W€468W
阈值电压：4.3V@20mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：220nC@20V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2943pF@800V
连续漏极电流：8.6A€98A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@60A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBG014N120M3P
工作温度：-55℃~175℃
功率：454W
阈值电压：4.63V@37mA
栅极电荷：337nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6313pF@800V
连续漏极电流：104A
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@74A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVBG020N120SC1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.7W€468W
阈值电压：4.3V@20mA
栅极电荷：220nC@20V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2943pF@800V
连续漏极电流：8.6A€98A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@60A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVBG040N120SC1
工作温度：-55℃~175℃
功率：357W
栅极电荷：106nC@20V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1789pF@800V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：56mΩ@35A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：14，"22+"：42}
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBG040N120SC1
工作温度：-55℃~175℃
功率：357W
ECCN：EAR99
栅极电荷：106nC@20V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1789pF@800V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：56mΩ@35A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVBG080N120SC1
工作温度：-55℃~175℃
功率：179W
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输入电容：1154pF@800V
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类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@20A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVBG020N120SC1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.7W€468W
阈值电压：4.3V@20mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：220nC@20V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2943pF@800V
连续漏极电流：8.6A€98A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@60A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBG014N120M3P
工作温度：-55℃~175℃
功率：454W
阈值电压：4.63V@37mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：337nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6313pF@800V
连续漏极电流：104A
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@74A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVBG040N120SC1
工作温度：-55℃~175℃
功率：357W
ECCN：EAR99
栅极电荷：106nC@20V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1789pF@800V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：56mΩ@35A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVBG020N120SC1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.7W€468W
阈值电压：4.3V@20mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：220nC@20V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2943pF@800V
连续漏极电流：8.6A€98A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@60A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：9600}
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVBG080N120SC1
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功率：179W
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栅极电荷：56nC@20V
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连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@20A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：9600}
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVBG080N120SC1
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功率：179W
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栅极电荷：56nC@20V
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连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@20A，20V
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库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：3600}
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBG160N120SC1
工作温度：-55℃~175℃
功率：136W
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类型：N沟道
导通电阻：224mΩ@12A，20V
漏源电压：1200V
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库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：9600}
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVBG080N120SC1
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功率：179W
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输入电容：1154pF@800V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@20A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBG080N120SC1
工作温度：-55℃~175℃
功率：179W
阈值电压：4.3V@5mA
栅极电荷：56nC@20V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1154pF@800V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@20A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBG040N120SC1
工作温度：-55℃~175℃
功率：357W
ECCN：EAR99
栅极电荷：106nC@20V
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输入电容：1789pF@800V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：56mΩ@35A，20V
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库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBG160N120SC1
工作温度：-55℃~175℃
功率：136W
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输入电容：678pF@800V
连续漏极电流：19.5A
类型：N沟道
导通电阻：224mΩ@12A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：3600}
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBG160N120SC1
工作温度：-55℃~175℃
功率：136W
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栅极电荷：33.8nC@20V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：678pF@800V
连续漏极电流：19.5A
类型：N沟道
导通电阻：224mΩ@12A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBG020N120SC1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.7W€468W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：220nC@20V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2943pF@800V
连续漏极电流：8.6A€98A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@60A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBG014N120M3P
工作温度：-55℃~175℃
功率：454W
阈值电压：4.63V@37mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：337nC@18V
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输入电容：6313pF@800V
连续漏极电流：104A
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@74A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBG080N120SC1
工作温度：-55℃~175℃
功率：179W
阈值电压：4.3V@5mA
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：1154pF@800V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@20A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：9600}
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVBG080N120SC1
工作温度：-55℃~175℃
功率：179W
阈值电压：4.3V@5mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：56nC@20V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1154pF@800V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@20A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVBG080N120SC1
工作温度：-55℃~175℃
功率：179W
阈值电压：4.3V@5mA
栅极电荷：56nC@20V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1154pF@800V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@20A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVBG160N120SC1
工作温度：-55℃~175℃
功率：136W
栅极电荷：33.8nC@20V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：678pF@800V
连续漏极电流：19.5A
类型：N沟道
导通电阻：224mΩ@12A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBG020N120SC1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.7W€468W
阈值电压：4.3V@20mA
栅极电荷：220nC@20V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2943pF@800V
连续漏极电流：8.6A€98A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@60A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"MI+"：460}
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBG160N120SC1
工作温度：-55℃~175℃
功率：136W
ECCN：EAR99
栅极电荷：33.8nC@20V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：678pF@800V
连续漏极电流：19.5A
类型：N沟道
导通电阻：224mΩ@12A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
