品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BFL4004-1E
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€36W
栅极电荷:36nC@10V
包装方式:管件
输入电容:710pF@30V
连续漏极电流:4.3A
类型:N沟道
导通电阻:2.5Ω@3.25A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"14+":23208,"16+":8624,"MI+":5000}
销售单位:个
规格型号(MPN):BFL4004-1E
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€36W
ECCN:EAR99
栅极电荷:36nC@10V
包装方式:管件
输入电容:710pF@30V
连续漏极电流:4.3A
类型:N沟道
导通电阻:2.5Ω@3.25A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
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ECCN:EAR99
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包装方式:管件
输入电容:710pF@30V
连续漏极电流:4.3A
类型:N沟道
导通电阻:2.5Ω@3.25A,10V
漏源电压:800V
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ECCN:EAR99
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包装方式:管件
输入电容:710pF@30V
连续漏极电流:4.3A
类型:N沟道
导通电阻:2.5Ω@3.25A,10V
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包装方式:管件
输入电容:710pF@30V
连续漏极电流:4.3A
类型:N沟道
导通电阻:2.5Ω@3.25A,10V
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功率:2W€36W
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栅极电荷:36nC@10V
包装方式:管件
输入电容:710pF@30V
连续漏极电流:4.3A
类型:N沟道
导通电阻:2.5Ω@3.25A,10V
漏源电压:800V
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栅极电荷:36nC@10V
包装方式:管件
输入电容:710pF@30V
连续漏极电流:4.3A
类型:N沟道
导通电阻:2.5Ω@3.25A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
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