品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"08+":7085,"09+":2310,"10+":2500,"11+":31427}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMD4884NFR2G
工作温度:-55℃~150℃
功率:770mW
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:360pF@15V
连续漏极电流:3.3A
类型:N沟道
导通电阻:48mΩ@4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"11+":2500,"18+":5000}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD4806NAT4G
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2142pF@12V
连续漏极电流:11.3A€79A
类型:N沟道
导通电阻:6mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"11+":59502}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMS4917NR2G
工作温度:-55℃~150℃
功率:880mW
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1054pF@25V
连续漏极电流:7.1A
类型:N沟道
导通电阻:11mΩ@11A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD8882
工作温度:-55℃~175℃
功率:55W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:33nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1260pF@15V
连续漏极电流:12.6A€55A
类型:N沟道
导通电阻:11.5mΩ@35A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"07+":14194,"08+":50,"09+":822}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS4108NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W€96.2W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:54nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6000pF@15V
连续漏极电流:13.5A
类型:N沟道
导通电阻:2.2mΩ@21A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"10+":2900,"13+":770}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD4810NT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.4W€50W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1350pF@12V
连续漏极电流:9A€54A
类型:N沟道
导通电阻:10mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMS4916NR2G
工作温度:-55℃~150℃
功率:890mW
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:15nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1376pF@25V
连续漏极电流:7.8A
类型:N沟道
导通电阻:9mΩ@12A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"07+":265,"10+":63975}
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD4815NH-1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.26W€32.6W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.8nC@4.5V
包装方式:管件
输入电容:845pF@12V
连续漏极电流:6.9A€35A
类型:N沟道
导通电阻:15mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS8820
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€78W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:88nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5315pF@15V
连续漏极电流:28A€116A
类型:N沟道
导通电阻:2mΩ@28A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"12+":11480}
销售单位:个
规格型号(MPN):NVD4809NT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.4W€52W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@11.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1456pF@12V
连续漏极电流:9.6A€58A
类型:N沟道
导通电阻:9mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"12+":182068,"16+":10540,"18+":4500}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMS4939NR2G
工作温度:-55℃~150℃
功率:800mW
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2000pF@25V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:8.4mΩ@7.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS8896
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:67nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2525pF@15V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:6mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS8820
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€78W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:88nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5315pF@15V
连续漏极电流:28A€116A
类型:N沟道
导通电阻:2mΩ@28A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"16+":10875}
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD4979N-35G
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.38W€26.3W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16.5nC@10V
包装方式:管件
输入电容:837pF@15V
连续漏极电流:9.4A€41A
类型:N沟道
导通电阻:9mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":65000,"22+":180000}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD4805NT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.41W€79W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:48nC@11.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2865pF@12V
连续漏极电流:12.7A€95A
类型:N沟道
导通电阻:5mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"07+":39440,"09+":57,"10+":24375}
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD4809NH-35G
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.3W€52W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@4.5V
包装方式:管件
输入电容:2155pF@12V
连续漏极电流:9.6A€58A
类型:N沟道
导通电阻:9mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"08+":39610,"10+":16500,"11+":3000,"12+":24000,"18+":1500}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS4851NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:870mW€41.7W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1850pF@12V
连续漏极电流:9.5A€66A
类型:N沟道
导通电阻:5.9mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"10+":2586,"14+":1694}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMS4802NR2G
工作温度:-55℃~150℃
功率:910mW
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:36nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5300pF@25V
连续漏极电流:11.1A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@18A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"12+":300,"15+":25815}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD4965N-35G
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.39W€38.5W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17.2nC@4.5V
包装方式:管件
输入电容:1710pF@15V
连续漏极电流:13A€68A
类型:N沟道
导通电阻:4.7mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"07+":144321,"09+":3000,"10+":3000,"11+":574500,"MI+":10500}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS4839NHT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:870mW€42.4W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:43.5nC@11.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2354pF@12V
连续漏极电流:9.5A€64A
类型:N沟道
导通电阻:5.5mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"09+":55000,"10+":140860}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMS4935NR2G
工作温度:-55℃~150℃
功率:810mW
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:52.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3639pF@25V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:5.1mΩ@7.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":24748}
销售单位:个
规格型号(MPN):NVD4808NT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.4W€54.6W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1538pF@12V
连续漏极电流:10A€63A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":848,"22+":2375}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS8876
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:36nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1650pF@15V
连续漏极电流:12.5A
类型:N沟道
导通电阻:8.2mΩ@12.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":45000}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMS4937NR2G
工作温度:-55℃~150℃
功率:810mW
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:38.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2563pF@25V
连续漏极电流:8.6A
类型:N沟道
导通电阻:6.5mΩ@7.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"07+":6700,"08+":2850}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD4810N-1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.4W€50W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@4.5V
包装方式:管件
输入电容:1350pF@12V
连续漏极电流:9A€54A
类型:N沟道
导通电阻:10mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"09+":150,"10+":39754,"11+":3975}
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD4804N-35G
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.43W€107W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC@4.5V
包装方式:管件
输入电容:4490pF@12V
连续漏极电流:14.5A€124A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP8870
工作温度:-55℃~175℃
功率:160W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:132nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5200pF@15V
连续漏极电流:19A€156A
类型:N沟道
导通电阻:4.1mΩ@35A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"07+":1415,"09+":1425}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD4809NA-35G
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.3W€52W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@4.5V
包装方式:管件
输入电容:1456pF@12V
连续漏极电流:9.6A€58A
类型:N沟道
导通电阻:9mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"13+":300,"14+":11700,"15+":34050}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD4806N-35G
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.4W€68W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23nC@4.5V
包装方式:管件
输入电容:2142pF@12V
连续漏极电流:11.3A€79A
类型:N沟道
导通电阻:6mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"08+":4485,"09+":750,"11+":25000,"12+":20000,"13+":16051}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMS4873NFR2G
工作温度:-55℃~150℃
功率:870mW
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1900pF@15V
连续漏极电流:7.1A
类型:N沟道
导通电阻:12mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: