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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：525，"21+"：2031，"22+"：14309，"23+"：1545}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC86012
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€54W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：38nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5075pF@15V
连续漏极电流：23A
类型：N沟道
导通电阻：2.7mΩ@23A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"08+"：141000，"09+"：44907}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTGD4169FT1G
工作温度：-25℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：295pF@15V
连续漏极电流：2.6A
类型：N沟道
导通电阻：90mΩ@2.6A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：525，"21+"：2031，"22+"：14309，"23+"：1545}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC86012
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€54W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：38nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5075pF@15V
连续漏极电流：23A
类型：N沟道
导通电阻：2.7mΩ@23A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"10+"：302750}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTLUF4189NZTBG
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：95pF@15V
连续漏极电流：1.2A
类型：N沟道
导通电阻：200mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：525，"21+"：2031，"22+"：14309，"23+"：1545}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC86012
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€54W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：38nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5075pF@15V
连续漏极电流：23A
类型：N沟道
导通电阻：2.7mΩ@23A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：525，"21+"：2031，"22+"：14309，"23+"：1545}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC86012
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€54W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：38nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5075pF@15V
连续漏极电流：23A
类型：N沟道
导通电阻：2.7mΩ@23A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"14+"：15000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDFME3N311ZT
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：75pF@15V
连续漏极电流：1.8A
类型：N沟道
导通电阻：299mΩ@1.6A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC86012
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€54W
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：38nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5075pF@15V
连续漏极电流：23A
类型：N沟道
导通电阻：2.7mΩ@23A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTGD4169FT1G
工作温度：-25℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：5.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：295pF@15V
连续漏极电流：2.6A
类型：N沟道
导通电阻：90mΩ@2.6A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC86012
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€54W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：38nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5075pF@15V
连续漏极电流：23A
类型：N沟道
导通电阻：2.7mΩ@23A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC86012
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€54W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：38nC@4.5V
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连续漏极电流：23A
类型：N沟道
导通电阻：2.7mΩ@23A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC86012
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€54W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：38nC@4.5V
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输入电容：5075pF@15V
连续漏极电流：23A
类型：N沟道
导通电阻：2.7mΩ@23A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC86012
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€54W
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：38nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5075pF@15V
连续漏极电流：23A
类型：N沟道
导通电阻：2.7mΩ@23A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"10+"：302750}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTLUF4189NZTBG
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功率：500mW
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ECCN：EAR99
栅极电荷：3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：95pF@15V
连续漏极电流：1.2A
类型：N沟道
导通电阻：200mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"08+"：141000，"09+"：44907}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTGD4169FT1G
工作温度：-25℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：295pF@15V
连续漏极电流：2.6A
类型：N沟道
导通电阻：90mΩ@2.6A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC86012
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€54W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：38nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5075pF@15V
连续漏极电流：23A
类型：N沟道
导通电阻：2.7mΩ@23A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：525，"21+"：2031，"22+"：14309，"23+"：1545}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC86012
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€54W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：38nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5075pF@15V
连续漏极电流：23A
类型：N沟道
导通电阻：2.7mΩ@23A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC86012
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€54W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：38nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5075pF@15V
连续漏极电流：23A
类型：N沟道
导通电阻：2.7mΩ@23A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDFME3N311ZT
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：1.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：75pF@15V
连续漏极电流：1.8A
类型：N沟道
导通电阻：299mΩ@1.6A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTLUF4189NZTBG
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：95pF@15V
连续漏极电流：1.2A
类型：N沟道
导通电阻：200mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDFME3N311ZT
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：1.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：75pF@15V
连续漏极电流：1.8A
类型：N沟道
导通电阻：299mΩ@1.6A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC86012
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€54W
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：38nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5075pF@15V
连续漏极电流：23A
类型：N沟道
导通电阻：2.7mΩ@23A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC86012
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
连续漏极电流：23A
功率：2.3W€54W
阈值电压：1.5V@250µA
导通电阻：2.7mΩ@23A，4.5V
栅极电荷：38nC@4.5V
ECCN：EAR99
输入电容：5075pF@15V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC86012
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€54W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：38nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5075pF@15V
连续漏极电流：23A
类型：N沟道
导通电阻：2.7mΩ@23A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC86012
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€54W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：38nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5075pF@15V
连续漏极电流：23A
类型：N沟道
导通电阻：2.7mΩ@23A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC86012
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€54W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：38nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5075pF@15V
连续漏极电流：23A
类型：N沟道
导通电阻：2.7mΩ@23A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTLUF4189NZTBG
导通电阻：200mΩ@1.5A，4.5V
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：1.2A
类型：N沟道
输入电容：95pF@15V
功率：500mW
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：3nC@4.5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC86012
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
连续漏极电流：23A
功率：2.3W€54W
阈值电压：1.5V@250µA
导通电阻：2.7mΩ@23A，4.5V
栅极电荷：38nC@4.5V
ECCN：EAR99
输入电容：5075pF@15V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：{"20+"：525，"21+"：2031，"22+"：14309，"23+"：1545}
规格型号(MPN)：FDMC86012
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
连续漏极电流：23A
功率：2.3W€54W
阈值电压：1.5V@250µA
导通电阻：2.7mΩ@23A，4.5V
栅极电荷：38nC@4.5V
ECCN：EAR99
输入电容：5075pF@15V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTGD4169FT1G
工作温度：-25℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：5.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：295pF@15V
连续漏极电流：2.6A
类型：N沟道
导通电阻：90mΩ@2.6A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
