品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MGSF1N03LT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:420mW
阈值电压:2.4V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:140pF@5V
连续漏极电流:1.6A
类型:N沟道
导通电阻:100mΩ@1.2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MGSF1N03LT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:420mW
阈值电压:2.4V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:140pF@5V
连续漏极电流:1.6A
类型:N沟道
导通电阻:100mΩ@1.2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MGSF1N03LT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:420mW
阈值电压:2.4V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:140pF@5V
连续漏极电流:1.6A
类型:N沟道
导通电阻:100mΩ@1.2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MVGSF1N03LT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:420mW
阈值电压:2.4V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:140pF@5V
连续漏极电流:1.6A
类型:N沟道
导通电阻:100mΩ@1.2A,10V
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MVGSF1N03LT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:420mW
阈值电压:2.4V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
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类型:N沟道
导通电阻:100mΩ@1.2A,10V
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库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MVGSF1N03LT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:420mW
阈值电压:2.4V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
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类型:N沟道
导通电阻:100mΩ@1.2A,10V
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库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MGSF1N03LT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:420mW
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ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
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类型:N沟道
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库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MVGSF1N03LT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:420mW
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ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:140pF@5V
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类型:N沟道
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库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MGSF1N03LT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:420mW
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类型:N沟道
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库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MGSF1N03LT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:420mW
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类型:N沟道
导通电阻:100mΩ@1.2A,10V
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库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MGSF1N03LT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:420mW
阈值电压:2.4V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:140pF@5V
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类型:N沟道
导通电阻:100mΩ@1.2A,10V
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MGSF1N03LT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:420mW
阈值电压:2.4V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:140pF@5V
连续漏极电流:1.6A
类型:N沟道
导通电阻:100mΩ@1.2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MGSF1N03LT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:420mW
阈值电压:2.4V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:140pF@5V
连续漏极电流:1.6A
类型:N沟道
导通电阻:100mΩ@1.2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MGSF1N03LT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:420mW
阈值电压:2.4V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:140pF@5V
连续漏极电流:1.6A
类型:N沟道
导通电阻:100mΩ@1.2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MGSF1N03LT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:420mW
阈值电压:2.4V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:140pF@5V
连续漏极电流:1.6A
类型:N沟道
导通电阻:100mΩ@1.2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MVGSF1N03LT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:420mW
阈值电压:2.4V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:140pF@5V
连续漏极电流:1.6A
类型:N沟道
导通电阻:100mΩ@1.2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"02+":4830,"11+":615624}
销售单位:个
规格型号(MPN):SCH2825-TL-E
工作温度:-55℃~125℃
功率:600mW
ECCN:EAR99
栅极电荷:2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:88pF@10V
连续漏极电流:1.6A
类型:N沟道
导通电阻:180mΩ@800mA,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MGSF1N03LT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:420mW
阈值电压:2.4V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:140pF@5V
连续漏极电流:1.6A
类型:N沟道
导通电阻:100mΩ@1.2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MGSF1N03LT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:420mW
阈值电压:2.4V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:140pF@5V
连续漏极电流:1.6A
类型:N沟道
导通电阻:100mΩ@1.2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MVGSF1N03LT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:420mW
阈值电压:2.4V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:140pF@5V
连续漏极电流:1.6A
类型:N沟道
导通电阻:100mΩ@1.2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MVGSF1N03LT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:420mW
阈值电压:2.4V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:140pF@5V
连续漏极电流:1.6A
类型:N沟道
导通电阻:100mΩ@1.2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MGSF1N03LT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:420mW
阈值电压:2.4V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:140pF@5V
连续漏极电流:1.6A
类型:N沟道
导通电阻:100mΩ@1.2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MGSF1N03LT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:420mW
阈值电压:2.4V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:140pF@5V
连续漏极电流:1.6A
类型:N沟道
导通电阻:100mΩ@1.2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MGSF1N03LT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:420mW
阈值电压:2.4V@250µA
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连续漏极电流:1.6A
类型:N沟道
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MGSF1N03LT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:420mW
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ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
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连续漏极电流:1.6A
类型:N沟道
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库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MGSF1N03LT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:420mW
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连续漏极电流:1.6A
类型:N沟道
导通电阻:100mΩ@1.2A,10V
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MGSF1N03LT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:420mW
阈值电压:2.4V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:140pF@5V
连续漏极电流:1.6A
类型:N沟道
导通电阻:100mΩ@1.2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"02+":4830,"11+":615624}
销售单位:个
规格型号(MPN):SCH2825-TL-E
工作温度:-55℃~125℃
功率:600mW
ECCN:EAR99
栅极电荷:2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:88pF@10V
连续漏极电流:1.6A
类型:N沟道
导通电阻:180mΩ@800mA,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MGSF1N03LT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:420mW
阈值电压:2.4V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:140pF@5V
连续漏极电流:1.6A
类型:N沟道
导通电阻:100mΩ@1.2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MGSF1N03LT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:420mW
阈值电压:2.4V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:140pF@5V
连续漏极电流:1.6A
类型:N沟道
导通电阻:100mΩ@1.2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: