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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDG315N
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：4nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：220pF@15V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"14+"：20000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCH1434-TL-H
工作温度：150℃
功率：800mW
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：130pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：165mΩ@1A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCH1434-TL-H
工作温度：150℃
功率：800mW
栅极电荷：1.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：130pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：165mΩ@1A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"15+"：98631}
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCH3478-TL-H
工作温度：150℃
功率：800mW
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：130pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：165mΩ@1A，4.5V
漏源电压：30V
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{}
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规格型号(MPN)：FDG315N
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：220pF@15V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@2A，10V
漏源电压：30V
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规格型号(MPN)：SCH1434-TL-H
工作温度：150℃
功率：800mW
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：130pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：165mΩ@1A，4.5V
漏源电压：30V
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生产批次：{"15+"：98631}
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规格型号(MPN)：MCH3478-TL-H
工作温度：150℃
功率：800mW
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：130pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：165mΩ@1A，4.5V
漏源电压：30V
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规格型号(MPN)：FDG315N
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：220pF@15V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@2A，10V
漏源电压：30V
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品牌：ON SEMI
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：FDG315N
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：4nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：220pF@15V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCH3478-TL-H
工作温度：150℃
功率：800mW
栅极电荷：1.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：130pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：165mΩ@1A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCH3478-TL-H
工作温度：150℃
功率：800mW
栅极电荷：1.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：130pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：165mΩ@1A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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