品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS4C024NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.57W€33W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1972pF@15V
连续漏极电流:21.7A€78A
类型:N沟道
导通电阻:2.8mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS4C024NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.57W€33W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1972pF@15V
连续漏极电流:21.7A€78A
类型:N沟道
导通电阻:2.8mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS4C024NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.57W€33W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1972pF@15V
连续漏极电流:21.7A€78A
类型:N沟道
导通电阻:2.8mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS4C024NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.57W€33W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1972pF@15V
连续漏极电流:21.7A€78A
类型:N沟道
导通电阻:2.8mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS4C024NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.57W€33W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1972pF@15V
连续漏极电流:21.7A€78A
类型:N沟道
导通电阻:2.8mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS4C024NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.57W€33W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1972pF@15V
连续漏极电流:21.7A€78A
类型:N沟道
导通电阻:2.8mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS4C024NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.57W€33W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1972pF@15V
连续漏极电流:21.7A€78A
类型:N沟道
导通电阻:2.8mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS4C024NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.57W€33W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1972pF@15V
连续漏极电流:21.7A€78A
类型:N沟道
导通电阻:2.8mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS4C024NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.57W€33W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1972pF@15V
连续漏极电流:21.7A€78A
类型:N沟道
导通电阻:2.8mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS4C024NT1G
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:1972pF@15V
类型:N沟道
导通电阻:2.8mΩ@30A,10V
功率:2.57W€33W
阈值电压:2.2V@250µA
连续漏极电流:21.7A€78A
栅极电荷:30nC@10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS4C024NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.57W€33W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1972pF@15V
连续漏极电流:21.7A€78A
类型:N沟道
导通电阻:2.8mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS4C024NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.57W€33W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1972pF@15V
连续漏极电流:21.7A€78A
类型:N沟道
导通电阻:2.8mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS4C024NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.57W€33W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1972pF@15V
连续漏极电流:21.7A€78A
类型:N沟道
导通电阻:2.8mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: