品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS4C01NWFT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.84W€161W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:139nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:10144pF@15V
连续漏极电流:49A€319A
类型:N沟道
导通电阻:0.9mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD8882
工作温度:-55℃~175℃
功率:55W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:33nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1260pF@15V
连续漏极电流:12.6A€55A
类型:N沟道
导通电阻:11.5mΩ@35A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS1D7N03CGT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€87W
阈值电压:2.2V@90µA
栅极电荷:48nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3780pF@15V
连续漏极电流:35A€170A
类型:N沟道
导通电阻:1.74mΩ@18A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"10+":2900,"13+":770}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD4810NT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.4W€50W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1350pF@12V
连续漏极电流:9A€54A
类型:N沟道
导通电阻:10mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":24000,"MI+":15000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC8010ET30
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.8W€65W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:94nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5860pF@15V
连续漏极电流:30A€174A
类型:N沟道
导通电阻:1.3mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"07+":265,"10+":63975}
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD4815NH-1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.26W€32.6W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.8nC@4.5V
包装方式:管件
输入电容:845pF@12V
连续漏极电流:6.9A€35A
类型:N沟道
导通电阻:15mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS4C25NWFTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€14.3W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:10.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:500pF@15V
连续漏极电流:10.1A€22.1A
类型:N沟道
导通电阻:17mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS4C25NTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€14.3W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:500pF@15V
连续漏极电流:10.1A€22.1A
类型:N沟道
导通电阻:17mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS4C10NWFTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€28W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:993pF@15V
连续漏极电流:15.3A€47A
类型:N沟道
导通电阻:7.4mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"12+":11480}
销售单位:个
规格型号(MPN):NVD4809NT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.4W€52W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@11.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1456pF@12V
连续漏极电流:9.6A€58A
类型:N沟道
导通电阻:9mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS0D9N03CGT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€144W
阈值电压:2.2V@200µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:131.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9450pF@15V
连续漏极电流:48A€298A
类型:N沟道
导通电阻:0.9mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"16+":10875}
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD4979N-35G
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.38W€26.3W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16.5nC@10V
包装方式:管件
输入电容:837pF@15V
连续漏极电流:9.4A€41A
类型:N沟道
导通电阻:9mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS4C01NWFT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.84W€161W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:139nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:10144pF@15V
连续漏极电流:49A€319A
类型:N沟道
导通电阻:0.9mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS4C05NTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.2W€68W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1988pF@15V
连续漏极电流:22A€102A
类型:N沟道
导通电阻:3.6mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":65000,"22+":180000}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD4805NT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.41W€79W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:48nC@11.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2865pF@12V
连续漏极电流:12.7A€95A
类型:N沟道
导通电阻:5mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS4C05NTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.2W€68W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1988pF@15V
连续漏极电流:22A€102A
类型:N沟道
导通电阻:3.6mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"07+":39440,"09+":57,"10+":24375}
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD4809NH-35G
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.3W€52W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@4.5V
包装方式:管件
输入电容:2155pF@12V
连续漏极电流:9.6A€58A
类型:N沟道
导通电阻:9mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"12+":300,"15+":25815}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD4965N-35G
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.39W€38.5W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17.2nC@4.5V
包装方式:管件
输入电容:1710pF@15V
连续漏极电流:13A€68A
类型:N沟道
导通电阻:4.7mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":24748}
销售单位:个
规格型号(MPN):NVD4808NT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.4W€54.6W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1538pF@12V
连续漏极电流:10A€63A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"07+":6700,"08+":2850}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD4810N-1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.4W€50W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@4.5V
包装方式:管件
输入电容:1350pF@12V
连续漏极电流:9A€54A
类型:N沟道
导通电阻:10mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"09+":150,"10+":39754,"11+":3975}
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD4804N-35G
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.43W€107W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC@4.5V
包装方式:管件
输入电容:4490pF@12V
连续漏极电流:14.5A€124A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP8870
工作温度:-55℃~175℃
功率:160W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:132nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5200pF@15V
连续漏极电流:19A€156A
类型:N沟道
导通电阻:4.1mΩ@35A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"07+":1415,"09+":1425}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD4809NA-35G
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.3W€52W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@4.5V
包装方式:管件
输入电容:1456pF@12V
连续漏极电流:9.6A€58A
类型:N沟道
导通电阻:9mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"13+":300,"14+":11700,"15+":34050}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD4806N-35G
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.4W€68W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23nC@4.5V
包装方式:管件
输入电容:2142pF@12V
连续漏极电流:11.3A€79A
类型:N沟道
导通电阻:6mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":65000,"22+":180000}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD4805NT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.41W€79W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:48nC@11.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2865pF@12V
连续漏极电流:12.7A€95A
类型:N沟道
导通电阻:5mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":1277}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB8832
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:265nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11400pF@15V
连续漏极电流:34A€80A
类型:N沟道
导通电阻:1.9mΩ@80A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"15+":2050,"19+":18900}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD4804NT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.43W€107W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4490pF@12V
连续漏极电流:14.5A€124A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"11+":7500}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD4959NHT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.3W€52W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:44nC@11.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2155pF@12V
连续漏极电流:9A€58A
类型:N沟道
导通电阻:9mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS4C25NWFTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€14.3W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:10.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:500pF@15V
连续漏极电流:10.1A€22.1A
类型:N沟道
导通电阻:17mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"07+":31120,"08+":541121,"MI+":40000}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD4815NHT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.26W€32.6W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:845pF@12V
连续漏极电流:6.9A€35A
类型:N沟道
导通电阻:15mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: