采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：50，"22+"：233，"23+"：450}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCH25N60N
工作温度：-55℃~150℃
功率：216W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：74nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3352pF@100V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：126mΩ@12.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：7500，"21+"：1315}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD9411L-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：48.4W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1210pF@20V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVD6495NLT4G-VF01
工作温度：-55℃~175℃
功率：83W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1024pF@25V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86581-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：48.4W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：880pF@30V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：15mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：6362，"MI+"：2300}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86381-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：48.4W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：866pF@40V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：21mΩ@25A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86581-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：48.4W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：880pF@30V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：15mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：6362，"MI+"：2300}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86381-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：48.4W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：866pF@40V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：21mΩ@25A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVD6495NLT4G-VF01
工作温度：-55℃~175℃
功率：83W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1024pF@25V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：7500，"21+"：1315}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD9411L-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：48.4W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1210pF@20V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVD6495NLT4G-VF01
工作温度：-55℃~175℃
功率：83W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1024pF@25V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVD6495NLT4G-VF01
工作温度：-55℃~175℃
功率：83W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1024pF@25V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86581-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：48.4W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：880pF@30V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：15mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：50，"22+"：233，"23+"：450}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCH25N60N
工作温度：-55℃~150℃
功率：216W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：74nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3352pF@100V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：126mΩ@12.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：430}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCH25N60N
工作温度：-55℃~150℃
功率：216W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：74nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3352pF@100V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：126mΩ@12.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86581-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：48.4W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：880pF@30V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：15mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86381-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：48.4W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：866pF@40V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：21mΩ@25A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86381-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：48.4W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：866pF@40V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：21mΩ@25A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCH25N60N
工作温度：-55℃~150℃
功率：216W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：74nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3352pF@100V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：126mΩ@12.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86581-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：48.4W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：880pF@30V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：15mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD9411L-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：48.4W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1210pF@20V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：523，"23+"：7500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVD6495NLT4G-VF01
工作温度：-55℃~175℃
功率：83W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1024pF@25V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86581-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：48.4W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：880pF@30V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：15mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86381-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：48.4W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：866pF@40V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：21mΩ@25A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86581-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：48.4W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：880pF@30V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：15mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86381-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：48.4W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：866pF@40V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：21mΩ@25A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86381-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：48.4W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：866pF@40V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：21mΩ@25A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：6362，"MI+"：2300}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86381-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：48.4W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：866pF@40V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：21mΩ@25A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：2500，"21+"：2064，"22+"：2078}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86581-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：48.4W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：880pF@30V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：15mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVD6495NLT4G-VF01
工作温度：-55℃~175℃
功率：83W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1024pF@25V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：2500，"21+"：2064，"22+"：2078}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86581-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：48.4W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：880pF@30V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：15mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
