采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBG080N120SC1
工作温度：-55℃~175℃
功率：179W
阈值电压：4.3V@5mA
栅极电荷：56nC@20V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1154pF@800V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@20A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVBG080N120SC1
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功率：179W
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包装方式：卷带（TR）
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连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@20A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
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类型：N沟道
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库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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销售单位：个
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库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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销售单位：个
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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漏源电压：1200V
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库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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销售单位：个
规格型号(MPN)：NVBG080N120SC1
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类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@20A，20V
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库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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销售单位：个
规格型号(MPN)：FQP30N06
工作温度：-55℃~175℃
功率：79W
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包装方式：管件
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连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
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库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVBG080N120SC1
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库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVBG080N120SC1
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功率：179W
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连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@20A，20V
漏源电压：1200V
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库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQP30N06
工作温度：-55℃~175℃
功率：79W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：管件
输入电容：945pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86381-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：50W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：866pF@40V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@30A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVBG080N120SC1
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功率：179W
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVBG080N120SC1
工作温度：-55℃~175℃
功率：179W
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栅极电荷：56nC@20V
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：9600}
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销售单位：个
规格型号(MPN)：NVBG080N120SC1
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类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@20A，20V
漏源电压：1200V
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBG080N120SC1
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功率：179W
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类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@20A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBG080N120SC1
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功率：179W
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类型：N沟道
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漏源电压：1200V
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库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBG080N120SC1
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功率：179W
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输入电容：1154pF@800V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@20A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVBG080N120SC1
工作温度：-55℃~175℃
功率：179W
阈值电压：4.3V@5mA
栅极电荷：56nC@20V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1154pF@800V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@20A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVBG080N120SC1
工作温度：-55℃~175℃
功率：179W
阈值电压：4.3V@5mA
栅极电荷：56nC@20V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1154pF@800V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@20A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：9600}
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVBG080N120SC1
工作温度：-55℃~175℃
功率：179W
阈值电压：4.3V@5mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：56nC@20V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1154pF@800V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@20A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVBG080N120SC1
工作温度：-55℃~175℃
功率：179W
阈值电压：4.3V@5mA
栅极电荷：56nC@20V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1154pF@800V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@20A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBG080N120SC1
工作温度：-55℃~175℃
功率：179W
阈值电压：4.3V@5mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：56nC@20V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1154pF@800V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@20A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86381-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：50W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：866pF@40V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@30A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86381-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：50W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：866pF@40V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@30A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：{"23+"：9600}
包装规格(MPQ)：800psc
规格型号(MPN)：NVBG080N120SC1
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：110mΩ@20A，20V
类型：N沟道
功率：179W
漏源电压：1200V
工作温度：-55℃~175℃
阈值电压：4.3V@5mA
输入电容：1154pF@800V
连续漏极电流：30A
ECCN：EAR99
栅极电荷：56nC@20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：{"23+"：9600}
包装规格(MPQ)：800psc
规格型号(MPN)：NVBG080N120SC1
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：110mΩ@20A，20V
类型：N沟道
功率：179W
漏源电压：1200V
工作温度：-55℃~175℃
阈值电压：4.3V@5mA
输入电容：1154pF@800V
连续漏极电流：30A
ECCN：EAR99
栅极电荷：56nC@20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
