采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"13+"：68790，"14+"：189550}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDF08N50ZH
工作温度：-55℃~150℃
功率：35W
阈值电压：4.5V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1095pF@25V
连续漏极电流：8.5A
类型：N沟道
导通电阻：850mΩ@3.6A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD5680
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.8W€60W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1835pF@30V
连续漏极电流：8.5A
类型：N沟道
导通电阻：21mΩ@8.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD5680
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.8W€60W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1835pF@30V
连续漏极电流：8.5A
类型：N沟道
导通电阻：21mΩ@8.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"13+"：68790，"14+"：189550}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDF08N50ZH
工作温度：-55℃~150℃
功率：35W
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栅极电荷：46nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1095pF@25V
连续漏极电流：8.5A
类型：N沟道
导通电阻：850mΩ@3.6A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"10+"：2000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK4089LS
工作温度：150℃
功率：2W€40W
ECCN：EAR99
栅极电荷：45.4nC@10V
包装方式：袋
输入电容：1200pF@30V
连续漏极电流：8.5A
类型：N沟道
导通电阻：720mΩ@6A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"10+"：2000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK4089LS
工作温度：150℃
功率：2W€40W
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栅极电荷：45.4nC@10V
包装方式：袋
输入电容：1200pF@30V
连续漏极电流：8.5A
类型：N沟道
导通电阻：720mΩ@6A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD5680
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.8W€60W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1835pF@30V
连续漏极电流：8.5A
类型：N沟道
导通电阻：21mΩ@8.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"10+"：2000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK4089LS
工作温度：150℃
功率：2W€40W
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栅极电荷：45.4nC@10V
包装方式：袋
输入电容：1200pF@30V
连续漏极电流：8.5A
类型：N沟道
导通电阻：720mΩ@6A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD5680
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.8W€60W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1835pF@30V
连续漏极电流：8.5A
类型：N沟道
导通电阻：21mΩ@8.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"10+"：4670，"11+"：23500，"12+"：420891，"MI+"：54100}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDF08N50ZG
工作温度：-55℃~150℃
功率：35W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1095pF@25V
连续漏极电流：8.5A
类型：N沟道
导通电阻：850mΩ@3.6A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK4089LS
工作温度：150℃
功率：2W€40W
栅极电荷：45.4nC@10V
包装方式：袋
输入电容：1200pF@30V
连续漏极电流：8.5A
类型：N沟道
导通电阻：720mΩ@6A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDF08N50ZH
工作温度：-55℃~150℃
功率：35W
阈值电压：4.5V@100µA
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1095pF@25V
连续漏极电流：8.5A
类型：N沟道
导通电阻：850mΩ@3.6A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD5680
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.8W€60W
阈值电压：4V@250µA
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栅极电荷：46nC@10V
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输入电容：1835pF@30V
连续漏极电流：8.5A
类型：N沟道
导通电阻：21mΩ@8.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：2428}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD5680
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.8W€60W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1835pF@30V
连续漏极电流：8.5A
类型：N沟道
导通电阻：21mΩ@8.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：752，"22+"：1878}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD5680
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.8W€60W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1835pF@30V
连续漏极电流：8.5A
类型：N沟道
导通电阻：21mΩ@8.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"14+"：6000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：EMH1405-TL-H
工作温度：150℃
功率：1.5W
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：820pF@10V
连续漏极电流：8.5A
类型：N沟道
导通电阻：19mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"10+"：4670，"11+"：23500，"12+"：420891，"MI+"：54100}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDF08N50ZG
工作温度：-55℃~150℃
功率：35W
阈值电压：4.5V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1095pF@25V
连续漏极电流：8.5A
类型：N沟道
导通电阻：850mΩ@3.6A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD5680
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.8W€60W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1835pF@30V
连续漏极电流：8.5A
类型：N沟道
导通电阻：21mΩ@8.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"10+"：4670，"11+"：23500，"12+"：420891，"MI+"：54100}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDF08N50ZG
工作温度：-55℃~150℃
功率：35W
阈值电压：4.5V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1095pF@25V
连续漏极电流：8.5A
类型：N沟道
导通电阻：850mΩ@3.6A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"10+"：2000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK4089LS
工作温度：150℃
功率：2W€40W
ECCN：EAR99
栅极电荷：45.4nC@10V
包装方式：袋
输入电容：1200pF@30V
连续漏极电流：8.5A
类型：N沟道
导通电阻：720mΩ@6A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"10+"：2000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK4089LS
工作温度：150℃
功率：2W€40W
ECCN：EAR99
栅极电荷：45.4nC@10V
包装方式：袋
输入电容：1200pF@30V
连续漏极电流：8.5A
类型：N沟道
导通电阻：720mΩ@6A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD5680
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.8W€60W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1835pF@30V
连续漏极电流：8.5A
类型：N沟道
导通电阻：21mΩ@8.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：2428}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD5680
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.8W€60W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1835pF@30V
连续漏极电流：8.5A
类型：N沟道
导通电阻：21mΩ@8.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"13+"：68790，"14+"：189550}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDF08N50ZH
工作温度：-55℃~150℃
功率：35W
阈值电压：4.5V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1095pF@25V
连续漏极电流：8.5A
类型：N沟道
导通电阻：850mΩ@3.6A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：752，"22+"：1878}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD5680
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.8W€60W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1835pF@30V
连续漏极电流：8.5A
类型：N沟道
导通电阻：21mΩ@8.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"14+"：6000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：EMH1405-TL-H
工作温度：150℃
功率：1.5W
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：820pF@10V
连续漏极电流：8.5A
类型：N沟道
导通电阻：19mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD5680
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.8W€60W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1835pF@30V
连续漏极电流：8.5A
类型：N沟道
导通电阻：21mΩ@8.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDF08N50ZH
工作温度：-55℃~150℃
功率：35W
阈值电压：4.5V@100µA
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1095pF@25V
连续漏极电流：8.5A
类型：N沟道
导通电阻：850mΩ@3.6A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDF08N50ZG
工作温度：-55℃~150℃
功率：35W
阈值电压：4.5V@100µA
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1095pF@25V
连续漏极电流：8.5A
类型：N沟道
导通电阻：850mΩ@3.6A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDF08N50ZG
工作温度：-55℃~150℃
功率：35W
阈值电压：4.5V@100µA
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1095pF@25V
连续漏极电流：8.5A
类型：N沟道
导通电阻：850mΩ@3.6A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
